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APT34N80B2C3 参数 Datasheet PDF下载

APT34N80B2C3图片预览
型号: APT34N80B2C3
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内容描述: 超级结MOSFET [Super Junction MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 177 K
品牌: ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
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动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT34N80B2C3 _LC3
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 400V
I
D
= 34A @ 25°C
电阻开关
V
GS
= 10V
V
DD
= 400V
I
D
= 34A @ 125°C
R
G
= 2.5Ω
6
电感式开关@ 25°C
V
DD
= 533V, V
GS
= 15V
I
D
= 34A ,R
G
= 5Ω
6
电感式开关@ 125°C
V
DD
= 533V, V
GS
= 15V
I
D
= 34A ,R
G
= 5Ω
典型值
最大
单位
4510
2050
110
180
22
90
25
15
70
6
675
580
1145
670
典型值
最大
单位
安培
ns
µC
pF
355
nC
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( "Miller " )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
80
9
ns
µ
J
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
dv
/
dt
特性/测试条件
连续源电流(体二极管)
脉冲源电流
二极管的正向电压
1
2
34
102
1
855
30
6
典型值
最大
(体二极管)
(V
GS
= 0V时,我
S
= -
34A
)
1.2
反向恢复时间(I
S
= -
34A
, DL
S
/ DT = 100A / μs的,V
R
= 400V)
反向恢复电荷(我
S
= -
34A
, DL
S
/ DT = 100A / μs的,V
R
= 400V)
峰值二极管恢复
dv
/
dt
5
V / ns的
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
单位
° C / W
.30
40
1重复额定值:脉冲宽度有限的最高结
温度
2脉冲测试:脉冲宽度< 380微秒,占空比< 2 %
3见MIL- STD- 750方法3471
APT保留更改的权利,恕不另行通知,该说明和信息,包含在本文中。
0.35
Z
JC
,热阻抗( ℃/ W)
θ
4起始物为
j
= + 25 ° C,L = 115.92mH ,R
G
= 25Ω ,峰值I
L
= 3.4A
5
IS
=
-
34A
di
/
dt
= 100A / μs的
VR
= 480V
TJ
= 125
°
C
6李炎包括二极管的反向恢复。参见图18,20 。
7 Repetitve雪崩造成额外的功率损耗,可以
计算公式为
P
AV
=E
AR
*f
0.30
0.9
0.25
0.7
0.20
0.15
0.10
0.05
0
0.5
注意:
PDM
6-2004
0.3
t1
t2
050-7147冯ê
0.1
0.05
10
-5
10
-4
单脉冲
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
占空比D = T1 / T2
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间(秒)
图1 ,最大有效瞬态热阻抗,结点到外壳VS脉冲持续时间
1.0