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APT34N80B2C3 参数 Datasheet PDF下载

APT34N80B2C3图片预览
型号: APT34N80B2C3
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内容描述: 超级结MOSFET [Super Junction MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 177 K
品牌: ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
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典型性能曲线
I
D
,漏极电流(安培)
50
APT34N80B2C3 _LC3
VGS = 15 & 10V
6.5V
6V
5.5V
40
遥控模型
连接点
TEMP 。 ( ° C)
0.117
动力
(瓦特)
0.183
外壳温度。 ( ° C)
0.174F
0.00828F
30
5V
20
10
4.5V
4V
图2 ,瞬态热阻抗模型
R
DS ( ON)
,漏极 - 源极导通电阻
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图3 ,低电压输出特性
1.40
1.30
1.20
VGS=10V
1.10
1.00
0.90
0.80
归一
= 10V @ 17A
V
GS
0
100
90
I
D
,漏极电流(安培)
VDS>的ID (ON )× R DS( ON)的最大值。
250微秒。脉冲测试
@ <0.5 %占空比
80
70
60
50
40
30
20
10
0
TJ = -55°C
TJ = + 25°C
TJ = + 125°C
0 1 2
3 4
5 6 7
8
9 10
V
GS
,栅极至源极电压(伏)
图4 ,传热特性
VGS=20V
0
10
20
30
40
50
I
D
,漏极电流(安培)
图5中,R
DS ( ON)
VS漏电流
60
35
30
25
20
15
10
5
0
25
BV
DSS
,漏极 - 源极击穿
电压(归)
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
I
D
,漏极电流(安培)
50
75
100
125
150
-50
0
50
100
150
R
DS
(ON ) ,漏极至源极导通电阻
(归一化)
T
C
,外壳温度( ° C)
图6 ,最大漏极电流与外壳温度
3.0
I
V
D
T
J
,结温( ° C)
图7 ,击穿电压与温度
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
= 17A
= 10V
2.0
1.5
1.0
0.5
0
-50
V
GS
( TH ) ,阈值电压
(归一化)
2.5
GS
-25
0
25
50
75
100 125 150
-25
0
25
50
75
100 125 150
T
J
,结温( ° C)
图8 ,导通电阻与温度
T
C
,外壳温度( ° C)
图9 ,阈值电压与温度
050-7147冯ê
6-2004