APT5010B2LL 参数 Datasheet PDF下载

型号：	APT5010B2LL
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内容描述：	功率MOS 7 MOSFET [POWER MOS 7 MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
文件页数/大小：	5 页 / 173 K
品牌：	ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]

典型性能曲线

连接点

TEMP 。（ ° C）

遥控模型

120

100

APT5010B2LL_LLL

15 &10V

7.5V

0.0131

0.00266F

0.0789

动力

（瓦特）

0.0811

0.00584F

，漏极电流（安培）

6.5V

0.0796F

5.5V

0.230

外壳温度。（ ° C）

0.460F

图2 ，瞬态热阻抗模型

，漏极电流（安培）

VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。

250微秒。脉冲测试

@ <0.5 ％占空比

（ON ），漏极至源极导通电阻

100

，漏极至源极电压（伏）

图3 ，低电压输出特性

1.2

1.15

1.1

VGS=10V

1.05

VGS=20V

1.0

0.95

0.9

，漏极电流（安培）

图5中，R

（ ON）与漏电流

归一

= 10V @ 23A

TJ = + 125°C

TJ = + 25°C

TJ = -55°C

1 2

3 4 5 6 7

9 10

，栅极至源极电压（伏）

图4 ，传热特性

DSS

，漏极 - 源极击穿

电压（归）

1.15

1.10

1.05

1.00

0.95

0.90

0.85

-50

，漏极电流（安培）

100

125

150

，外壳温度（ ° C）

图6 ，最大漏极电流与外壳温度

（ON ），漏极至源极导通电阻

（归一化）

2.5

= 23A

= 10V

-25

50 75 100 125 150

，结温（ ° C）

图7 ，击穿电压与温度

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

-50

2.0

1.5

1.0

（ TH ），阈值电压

（归一化）

0.5

0.0

-50

-25

25 50

75 100 125 150

，结温（ ° C）

图8 ，导通电阻与温度

75 100 125 150

，外壳温度（ ° C）

图9 ，阈值电压与温度

-25

050-7011修订版D

9-2004

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