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APT5010B2LL 参数 Datasheet PDF下载

APT5010B2LL图片预览
型号: APT5010B2LL
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内容描述: 功率MOS 7 MOSFET [POWER MOS 7 MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
文件页数/大小: 5 页 / 173 K
品牌: ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
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184
I
D
,漏极电流(安培)
20,000
操作点这里
限制根据RDS ( ON)
APT5010B2LL_LLL
西塞
100
10,000
100µS
C,电容(pF )
1,000
1mS
10
10mS
科斯
100
CRSS
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
1
1
10
100
500
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图10 ,最大安全工作区
I
D
0
10
20
30
40
50
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图11 ,电容VS漏极至源极电压
I
DR
,反向漏电流(安培)
10
16
V
GS
,栅极至源极电压(伏)
= 46A
200
100
12
VDS=100V
8
VDS=250V
VDS=400V
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
10
4
20
40
60
80
100 120 140
Q
g
,总栅极电荷( NC)
图12 ,栅极电荷VS栅极至源极电压
80
70
60
t
D(上)
和T
D(关闭)
(纳秒)
V
0
0
1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
V
SD
,源极到漏极电压(伏)
图13 ,源极 - 漏极二极管的正向电压
100
V
DD
G
= 330V
t
D(关闭)
90
80
R
= 5Ω
T = 125°C
J
L = 100μH
t
r
和T
f
(纳秒)
50
40
30
20
10
DD
G
= 330V
70
60
50
40
30
t
D(上)
20
10
t
f
t
r
R
= 5Ω
T = 125°C
J
L = 100μH
0
10
40
50
60
70
I
D
(A)
图14 ,延迟时间 - 电流
V
DD
G
20
30
40
50
60
70
I
D
(A)
图15 ,上升和下降时间 - 电流
2500
V
I
DD
0
10
20
30
1500
= 330V
= 330V
R
= 5Ω
D
J
= 46A
开关能量( μJ )
1200
E
on
与ê
关闭
(µJ)
T = 125°C
J
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
2000
T = 125°C
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
E
on
E
关闭
900
1500
E
on
600
1000
9-2004
300
050-7011修订版D
E
关闭
20
30
500
40
50
60
70
I
D
(A)
图16 ,开关能量 - 电流
0
10
10 15 20 25 30 35 40 45 50
R
G
,栅极电阻(欧姆)
图17 ,交换能量 - 栅极电阻
0
0
5