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APT50GP60J 参数 Datasheet PDF下载

APT50GP60J图片预览
型号: APT50GP60J
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内容描述: 功率MOS 7 IGBT [POWER MOS 7 IGBT]
分类和应用: 晶体晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管局域网
文件页数/大小: 6 页 / 100 K
品牌: ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
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典型性能曲线
10,000
5,000
I
C
,集电极电流( A)
APT50GP60J
资本投资者入境计划
200
180
160
140
120
100
180
160
140
120
C,电容( F)
1,000
500
卓越中心
P
100
50
CRES
10
0
10
20
30
40
50
V
CE
,集电极 - 发射极电压(伏)
图17 ,电容VS集电极 - 发射极电压
0
0
100 200 300 400 500 600 700
V
CE
,集电极到发射极电压
图18 , Minimim开关安全工作区
0.20
0.9
Z
θ
JC
,热阻抗( ℃/ W)
0.16
0.7
0.12
0.5
0.08
0.3
0.04
0.1
0.05
0
10
-5
注意:
PDM
t1
t2
占空比D = T1 /吨
2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
单脉冲
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
矩形脉冲持续时间(秒)
图19A ,最大有效瞬态热阻抗,结到外壳与脉冲持续时间
10
10
遥控模型
0.0775
0.0158F
F
最大
,工作频率(千赫)
连接点
温度。 ( “C )
210
100
动力
(瓦特)
0.216
0.313F
50
0.0855
外壳温度
4.49F
T
J
= 125
°
C
T
C
= 75
°
C
D = 50 %
V
CE
= 400V
R
G
= 5
图19B ,瞬态热阻抗模型
10
10
20
30
40
50
60
70
80
I
C
,集电极电流( A)
图20 ,工作频率与集电极
当前
F
最大
=
分(F
max1
, f
MAX 2
)
f
max1
=
f
MAX 2
=
P
DISS
=
t
D(上)
0.05
+
t
r
+
t
D(关闭)
+
t
f
4-2003
050-7435
REV A
P
DISS
P
COND
E
ON 2
+
E
关闭
T
J
T
C
R
θ
JC