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    APT60N60BCSG 参数 Datasheet PDF下载

    APT60N60BCSG图片预览
    型号： APT60N60BCSG
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 超级结MOSFET [Super Junction MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 5 页 / 403 K
    品牌： ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
     浏览型号APT60N60BCSG的Datasheet PDF文件第1页浏览型号APT60N60BCSG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号APT60N60BCSG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号APT60N60BCSG的Datasheet PDF文件第5页  
    230
    I
    D
    ，漏极电流（安培）
    100
    50
    操作点这里
    限于由R
    （上）
    DS
    10
    5
    APT60N60B_SCS(G)
    10
    4
    C，电容（pF ）
    C
    国际空间站
    10
    3
    C
    OSS
    10
    2
    100µS
    10
    5
    T
    C
    =+25°C
    T
    J
    =+150°C
    单脉冲
    1mS
    10mS
    10
    1
    10
    0
    C
    RSS
    1
    10
    100
    600
    V
    DS
    ，漏极至源极电压（伏）
    图10 ，最大安全工作区
    1
    0
    50
    100
    150
    200
    V
    DS
    ，漏极至源极电压（伏）
    图11 ，电容VS漏极至源极电压
    I = 44A
    D
    I
    DR
    ，反向漏电流（安培）
    V
    GS
    ，栅极至源极电压（伏）
    16
    14
    12
    10
    8
    6
    4
    2
    0
    0
    200
    100
    T
    J
    =+150°C
    T
    J
    =+25°C
    V
    DS
    =120V
    V
    DS
    =300V
    10
    V
    DS
    =480V
    50
    100
    150
    200
    250
    Q
    g
    ，总栅极电荷（ NC）
    图12 ，栅电荷VS栅极至源极电压
    250
    1
    0.3
    0.5
    0.7
    0.9
    1.1
    1.3
    1.5
    V
    SD
    ，源极到漏极电压（伏）
    图13 ，源极 - 漏极二极管的正向电压
    110
    100
    V
    DD
    G
    = 400V
    R
    = 4.3Ω
    200
    90
    t
    D（上）
    和T
    D（关闭）
    （纳秒）
    t
    D（关闭）
    V
    DD
    G
    80
    T = 125°C
    J
    L = 100μH
    = 400V
    t
    r
    和T
    f
    （纳秒）
    150
    70
    60
    50
    40
    30
    t
    f
    R
    = 4.3Ω
    100
    T = 125°C
    J
    L = 100μH
    50
    t
    D（上）
    0
    20
    10
    0
    t
    r
    0
    20
    图14 ，延迟时间 - 电流
    2000
    V
    DD
    G
    40
    I
    D
    (A)
    60
    80
    0
    20
    图15 ，上升和下降时间 - 电流
    2500
    40
    I
    D
    (A)
    60
    80
    = 400V
    R
    = 4.3Ω
    T = 125°C
    开关能量（ μJ ）
    1500
    L = 100μH
    E
    二极管的反向恢复。
    on
    开关能量（ μJ ）
    J
    2000
    E
    关闭
    包括
    E
    on
    1500
    E
    on
    1000
    1000
    V
    DD
    3-2006
    E
    关闭
    = 400V
    500
    I = 44A
    D
    500
    T = 125°C
    L = 100μH
    E
    二极管的反向恢复。
    on
    J
    050-7239修订版B
    包括
    40
    60
    80
    I
    D
    (A)
    图16 ，开关能量 - 电流
    0
    0
    20
    10 15 20 25 30 35 40 45 50
    R
    G
    ，栅极电阻（欧姆）
    图17 ，交换能量 - 栅极电阻
    0
    0
    5

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