AD561
单极CON组fi guration
这样的结构，在图2中所示，将提供一个单极
0 V至+10 V的输出范围。
步骤i 。 。 。零点调节
关闭所有位关闭和调整运算放大器微调，R
1
，直到
输出读取0.000伏（ 1 LSB = 9.76毫伏） 。
第11步。 。增益调整
打开所有位并调整50
Ω
获得微调，R
2
，直到
输出为9.990伏。 （满量程调整为1 LSB小于
标称满刻度10.000伏）。如果一个10.23 V满量程希望
（正好是10毫伏/位） ，插入120
Ω
串联电阻为R
2
.
双极性配置
图2. 0 V至+10 V单极性电压输出
这样的结构，在图3中所示，将提供一个双极
从-5.000到4.990伏特输出电压，具有正满
规模与所有位ON （全1 ）发生。
只能打开MSB ，关闭所有其他位。调整50
Ω
剪ř
3
，给予0.000输出电压。对于最大分辨率
a 120
Ω
电阻器可以被并联放置，其中R
3
.
关闭所有位，调整50
Ω
增益调整器，得到的读数
-5.000伏。
请注意，这是没有必要的修剪运算放大器，以获得
全精度为室温。在大多数情况下，双极性，
运算放大器微调是不必要的，除非修剪偏移
运算放大器的偏移过大。
在AD561也可以连接一个
±
10伏的双极性范围
与另外的外部电阻，如图4。
较大的值修剪器中需要用于补偿公差
薄膜电阻器，经调整以匹配的满量程
电流。为了获得最佳的满量程温度系数性能，
外部电阻应具有-50 PPM / ℃的TC 。
电路描述
10 VOLT BUFFERED双极性输出
第11步。 。增益调整
第1步。 。零点调节
网络连接gure 3 。
±
5 V缓冲双极性电压输出
用的基本电路功能的简化原理图
AD561示于图5中的参考电压， CR1 ，就是一个
嵌入式齐纳二极管（或地下击穿二极管） 。该装置
展品更好的全能表现比NPN基地 -
发射极反向击穿二极管（表面齐纳），这是在
在集成电路几乎普遍用作参考电压。
大大提高了长期稳定性和更低的噪音是
主要的好处埋齐纳从隔离派生
从表面应力和移动氧化层电荷击穿点
的影响。标称7.5伏特的装置（包括温度
补偿电路）通过一个电流源来驱动
负电源，以便在正电源可以允许下降为
低到4.5伏。每个二极管的温度系数是
单独确定;这个数据随后被用于激光修整一
补偿电路的整体的TC平衡到零。该
典型的导致TC为0〜
±
为15ppm / ℃。负参考
水平翻转和缩放一
1
给一个2.5伏参考，
这可以通过在低的正电源来驱动。该AD561 ，
封装在16引脚DIP ，具有+2.5伏参考（ REF
出）直接连接到控制放大器的输入端
（ REF IN） 。缓冲的引用不是直接可用
在外部，除非通过2.5 kΩ的双极性失调电阻。
图4中。
±
10 V缓冲电压输出
2.5 kΩ的电阻器的缩放和控制放大器A
2
然后强制
1毫安参考电流流过参考晶体管Q
1
,
其具有图8A的相对发射极面积。这是通过
迫使梯的底部，以合适的电压。由于Q
1
和Q
2
有平等的发射区和平等5 kΩ的发射极电阻，
Q
2
还带有1 mA的电流。阶梯电压降约束Q
7
（与区4A）只携带0.5毫安; Q
8
携带0.25毫安等
第4显著位单元被精确比例在发射极
区域匹配Q
1
最佳V
BE
和V
BE
漂移比赛，以及
作为测试赛。这些影响是微不足道的低级
命令位，占总共只有全刻度的1/16 。
然而，在18毫伏V
BE
两者之间的区别匹配
晶体管携带发射极电流中的2 ：1的比率必须是
纠正。这是通过迫使120取得
µA
通过
150
Ω
IB的电阻。这些电阻器，并且所述R-2R梯形
电阻，都在积极激光调整在晶圆级带
总的设备精度优于1/4 LSB 。充足比率
精度，在最后两个比特是由简单的射极面积所得
REV 。一
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