AD590
产品说明
该AD590H有60 μ英寸镀金它可伐合金引线
与可伐合金头。的电阻焊接机是用来密封镍
帽的头部。该AD590芯片共晶装
头和超声波接合到具有1密耳的铝
线。铁镍钴合金组成： 53 ％的铁标称; 29％ ±1％的镍;
17 ％±1 ％的钴; 0.65 ％的锰最大; 0.20 ％的硅最大;
0.10 ％的铝最大; 0.10 ％的镁最大; 0.10 ％
锆最大; 0.10 ％的钛最大; 0.06 ％的碳最大。
该AD590F是陶瓷封装镀金它可伐
引出，可伐盖，和芯片腔中。 80/20金/锡焊料
组合物用于根据所述的1.5密耳厚的焊料环
盖子。该芯片具有腔体之间的镍底层
金属和金镀层。该AD590芯片
共晶装在芯片腔中在410 ℃，并
超声接合到具有1密耳的铝导线。注意
该芯片是在与陶瓷基体，而不是金属的直接接触
盖子。当裸片形式使用AD590 ，芯片衬底绝
保持电气隔离（浮动）的正确电路
操作。
66MILS
PTAT电流。图4是AD590的示意图。
在该图中， Q8和Q11是产生的晶体管
PTAT电压。 R5和R6转换的电压转换成电流。 Q10 ，
其集电极电流跟踪的集电极电流在Q9和
Q11 ，提供所有的偏见和底物的泄漏电流，
该电路的其余部分，迫使总电流为PTAT 。 R5和
R 6为激光调整晶片上以校准装置在
25°C.
25℃和极端温度。
+
R
1
260Ω
Q
1
Q
2
Q
6
Q
7
Q
12
Q
5
R
2
1040Ω
Q
3
C
1
26pF
Q
8
Q
4
芯片
基板
Q
9
V+
R
3
5kΩ
Q
10
R
4
11kΩ
Q
11
1
00533-C-004
8
R
6
820Ω
–
R
5
1
146Ω
42MILS
图4.示意图
V–
I
OUT
(µA)
THE AD590可在激光微调片形;
咨询CHIP目录详情
00533-C-003
423
+150°C
298
+25°C
–55°C
图3.金属化图
电路描述
在AD590使用硅的基本属性
晶体管从它是由实现其温度
比例的特点：如果两个相同的晶体管
在集电极电流密度， r的恒定比率操作，则
在他们的基射极电压差会（ KT / Q） （在读） 。
自的两个k（下波尔兹曼常数）和q （电荷
电子）是恒定的，所得到的电压是直接
正比于绝对温度（ PTAT）的。
在AD590 ，此PTAT电压被转换为一个PTAT电流
通过低温度系数的薄膜电阻。总
该装置的电流被强制为这种多
218
0
1
2
3
4
5
电源电压（ V）
6
30
图5. V- 1地块
说明温度传感器
特定网络阳离子
其中AD590指定的方式可以很容易申请
在各种各样的应用中。据了解是很重要的
的各种规格的意义和效果
电源电压和对精度的热环境。
1
有关更详细的说明，请参见熔点Timko ， “双端IC
温度传感器， “ IEEE J.固态电路卷。 SC-11 ，第784-788 ，
1976年十二月了解产品规格- AD590 。
版本C |第16页6
00533-C-005
AD [ ANALOG DEVICES ]
