AD8011
40
11
10
9
30
8
R
F
= 750
V
S
= 5V
G = +2
V
IN
= 200mV的
R
系列
( )
增益（dB ）
7
6
5
4
3
2
R
F
= 1k
20
10
0
5
10
C
L
（PF ）
15
20
25
1
1
10
频率（MHz）
100
500
图12.推荐ř
系列
- 容性
负载
≤
30 ns建立0.1 ％
优化FLATNESS
图13.平整度与反馈
如所提到的，以前的AC传输方程是基于一
简化的单极模式。由于该设备的内部对位
sitics （主要ç
P
1/C
P
1B和C
P
2在图6）和外部
封装/电路板寄生（如图12所示部分）的
计算带宽，使用以前的V
O
（多个）式中，典型地将
比AD8011的测量小信号带宽较低。看
数据表中的波特图。
只有内部寄生在内， BW由于延长
于主要由C语言创建的复数极点对
P
1/C
P
2B和
C
P
2相对于上图所示的单极假设。这
结果在一
设计控制，
闭环阻尼因子（）的
名义上0.6导致CLBW由近似增加
比所计算的单极值以上三方共同1.3更高
为+ 2 / -1优化的外部收益。
由于外部同相
增益（G）增加，则实际的闭环带宽与
所计算的单极交流反应是在更接近一致。
反相引脚和外部元件电容（指定为C
P
)
将进一步延长CLBW由于创建的闭环零
用C
P
和R
N
R
F
在同相模式下操作时。运用
适当ř
F
组件和布局技术（见布局
注意事项部分） ，该电容应该是约1.5 pF的。
这导致几乎2进一步增加的BW增加
（相对于所计算的值）对于G = 1递减和approach-
荷兰国际集团及其复杂极对BW的涨幅接近6或更高版本。
如先前所讨论的，单极响应开始corre-
晚好。注意，一个极也由1/2克创建
mf
和C
P
，这
防止AD8011变得不稳定。这个寄生
对体重的影响最大，并达到峰值低正收益
作为资料片的波特图清晰显示。对于反向操作，
C
P
对CLBW变化比较多的影响较小。
输出引脚和外部元件电容（指定为C
L
)
将进一步扩大带宽的设备，也能引起峰值
下面和CLBW如果太高高在上。在时域中，
差的步骤沉降特性（振铃高达约2GHz的
和过度超调）的原因。对于高C
L
值越大
大于约5 pF的，外部串联
阻尼
电阻是中建议
谁料。对于轻负载，任一输出电容将反思
A2的输出（缓冲A3的Z2）为两个附加的电容附近
在CLBW （ CLBW > ˚F
T
/ B），并且在最终的负阻
高得多的频率。这些附加的效应是成正比
到负载C.这反映电容和负阻
具有既减少A2的相位裕量和引起的效果
高频， L C ，峰值分别。使用外部
串联电阻（如前面所规定的）减小这些不希望的
通过创建一个反射的零至A2的输出，这将影响
减少峰值和消除振铃。对于重阻
载荷，相对更载荷C将需要使这些
同样的效果。
高感应寄生，特别是在供应和反相/
同相输入端，可引起低的调制电平R
F
振铃
输出在瞬时域。适当ř
F
组件和
电路板布局的做法需要加以观察。相对较高的准
SITIC引线电感（近似L >15 nh个）可导致液晶
欠阻尼振荡。这里的L / C是指所有相关的输入引脚，
外部元件，并且引线框架流浪狗，其中包括收藏家
到衬底器件的电容。在交流领域，这个L C
共振效应通常将不会出现在通带
放大器，但会出现在开环反应
频率远高于放大器的CLBW 。
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版本C
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