ADuM1200/ADuM1201
参数
ADuM120xBR
最小脉冲宽度
最大数据速率
传播延迟
脉冲宽度失真， |吨
PLH
−t
PHL
变化与温度
传播延迟偏斜
通道到通道匹配，
同向通道
通道到通道匹配，
反方向通道
输出上升/下降时间（ 10 ％至90 ％ ）
ADuM120xCR
最小脉冲宽度
最大数据速率
传播延迟
脉冲宽度失真， |吨
PLH
− t
PHL
变化与温度
传播延迟偏斜
通道到通道匹配，
同向通道
通道到通道匹配，
反方向通道
输出上升/下降时间（ 10 ％至90 ％ ）
所有型号
共模瞬态抗扰度
在逻辑高电平输出。
共模瞬态抗扰度
在逻辑低输出
刷新率
输入动态电源电流，每通道
输出动态电源电流，每通道
符号
PW
t
PHL
, t
PLH
PWD
t
PSK
t
PSKCD
t
PSKOD
t
R
/t
F
PW
t
PHL
, t
PLH
PWD
t
PSK
t
PSKCD
t
PSKOD
t
R
/t
F
|厘米
H
|
|厘米
L
|
f
r
I
DDI （ D）
I
DDO （ D）
25
25
3.0
35
35
1.1
0.10
0.03
25
20
3.0
20
50
40
55
3
5
16
3
16
10
20
5
22
3
22
民
典型值
最大
100
60
3
单位
ns
Mbps的
ns
ns
PS /°C的
ns
ns
ns
ns
ns
Mbps的
ns
ns
PS /°C的
ns
ns
ns
ns
KV / μs的
KV / μs的
Mbps的
毫安/ Mbps的
毫安/ Mbps的
测试条件
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
V
Ix
= V
DD1
, V
DD2
, V
CM
= 1000 V,
瞬变幅度= 800 V
V
Ix
= 0 V, V
CM
= 1000 V,
瞬变幅度= 800 V
1
在相同的数据速率运行时，两个通道的电源电流值进行组合。电源的输出电流值，没有输出负载指定
目前。如在功耗部分描述了一个单独的信道在一个给定的数据速率工作的电源电流可被计算出来。看
总我
DD1
我
DD2
电源电流与数据速率为ADuM1200和器ADuM1201通道配置的函数。
2
的最小脉冲宽度为最短的脉冲宽度，在其中规定的脉宽失真得到了保证。
3
的最大数据速率是指在指定的脉宽失真得到保障的最快的数据速率。
4
t
PHL
传播延迟是从50％的水平在V的下降沿的测量
Ix
信号至50％的水平在V的下降沿的
Ox
信号。吨
PLH
传播延迟是
从50％的水平在V的上升沿测量的
Ix
信号至50％的水平在V的上升沿的
Ox
信号。
5
t
PSK
是在T最坏情况下的差的量值
PHL
和/或叔
PLH
即在相同的工作温度，电源电压和输出测量单元之间
加载中推荐的工作条件。
6
同向通道与通道之间的匹配是在任意两个信道之间的传播延迟之差与上同一侧输入的绝对值
隔离屏障。相对定向的通道至通道匹配的区别是在任意两个通道之间的传播延迟的绝对值
投入上相对隔离安全栅的两侧。
7
CM
H
是，可以持续维持V中的最大共模电压的变化率
O
> 0.8 V
DD2
。厘米
L
是最大的共模电压的变化率
能够持续维持V
O
< 0.8 V共模电压压摆率适用于上升和下降的共模电压的边缘。瞬间
量值是在其上共模压摆的范围。
8
动态电源电流所需的电源电流在信号数据速率提高1 Mbps增量。参见图6至图8
对空载和负载条件下每通道电源电流的信息。请参阅指导功耗节计算每通道电源
当前对于给定的数据速率。
版本B |第20页6
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