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ACT-F128K32N-120P7Q 参数 Datasheet PDF下载

ACT-F128K32N-120P7Q图片预览
型号: ACT-F128K32N-120P7Q
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内容描述: ACT- F128K32高速4兆位闪存多芯片模块 [ACT-F128K32 High Speed 4 Megabit FLASH Multichip Module]
分类和应用: 闪存内存集成电路
文件页数/大小: 20 页 / 203 K
品牌: AEROFLEX [ AEROFLEX CIRCUIT TECHNOLOGY ]
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内为80μs超时时段的定时器被复位。
(监视器D3 ,以确定该扇区擦除计时器窗口
仍然是开放的,见D3 ,扇区擦除定时器。 )任何
在此期间commarid比扇区擦除等将
重置设备来读取模式,忽略以前
命令字符串。在这种情况下,重新启动这些擦除
部门,让他们来完成。
加载扇区擦除缓存可以在任何可以做的
序列和任意数量的扇区(0至7)。
扇区擦除不需要用户编程的
设备擦除之前。设备会自动程序
在该扇区的所有存储单元之前应当擦除
电擦除。当删除一个或多个扇区的
剩余的未被选择的扇区不受影响。该
系统
无须提供任何控制或定时
在这些操作过程。帖子擦除数据状态是所有"1"s 。
自动扇区擦除后的时间为80μs开始
从在WE脉冲的最后一个上升沿
扇区擦除指令脉冲和终止时的
在D7 ,数据查询,数据为“ 1" (请参阅write Operatlon
状态secton ),其时该装置返回到读
模式。数据轮询必须在一个地址进行
在任何一个行业被删除。
图4示出了嵌入式擦除算法。
逻辑INHIBIT
写作是由持有OE = V禁止任何人
IL
,CE =
V
IH
或WE = V
IH
。要启动一个写周期CE和WE
必须是逻辑零,而OE是一个合乎逻辑的。
上电时禁止写入
上电设备与WE = CE = V
IL
和OE = V
IH
将不接受WE的上升沿命令。该
内部状态机自动复位到读
模式上电。
写操作状态
D
7
数据轮询
在ACT- F128K32功能数据轮询的方法
指示该内部算法是在宿主中
进度或完成。
在程序算法,企图读取
设备会产生数据最后的恭维数据
写入到D
7
。当编程结束
算法被尝试读取设备将产生的
真正的最后的数据写入到D7 。数据轮询后是有效的
上升4个WE脉冲的边缘在四写入脉冲
序列。
在擦除算法, D7将是"0" ,直到擦除
操作完成。在完成数据的D7是
& QUOT ; 1 & QUOT ;.对于芯片擦除,数据轮询后是有效的
上升6个WE脉冲的边缘六个写入脉冲
序列。对于扇区擦除,数据轮询是有效的
之后的扇区擦除WE脉冲的最后一个上升沿。
数据查询功能是在唯一的活动
规划算法,擦除算法,或扇区擦除
超时。
参见图6和10的数据轮询规格。
数据保护
在ACT - F128K32的目的是提供保护,防止
意外擦除或编程引起的杂散
可在电力系统中存在的单打水平
转场。在自动上电装置
在读取模式复位内部状态机。另外,
其控制寄存器结构,改变的
记忆的内容只出现成功完成后,
的具体的多总线循环命令序列。
该器件还集成了多项功能以防止
从Vcc电导致意外的写入周期,
省电转变或系统噪声。
低V
cc
写禁止
以避免在Vcc的电的写周期开始
和断电,写周期被锁定为V
CC
超过3.2V (典型3.7V ) 。如果V
CC
& LT ; V
LKO
时,该命令
寄存器被禁止,所有内部程序/擦除电路
被禁用。在此条件下的器件将复位到
阅读模式。后续写入将被忽略,直到
它是用户
Vcc的电平大于V
LKO
.
责任确保控制管脚逻辑
正确,以防止无意识当Vcc以上
3.2V.
D
6
切换位
在ACT- F128K32还采用了"Toggle Bit"作为
方法,以指示主机系统,该系统的算法是
正在进行或已完成。
在编程或擦除算法周期,连续
尝试从设备将导致在D中读出的数据
6
1和0之间切换。一旦程序或
擦除算法循环完成,D-
6
将停止切换
而有效的数据将被读取的连续尝试。
在编程切换位后上涨有效
第四WE脉冲的四个写入脉冲边沿
序列。对于芯片擦除切换位后有效
第六上升沿
WE
脉冲中的六个写脉冲
序列。对于扇区擦除,之后触发位是有效的
扇区擦除的最后一个上升沿
WE
脉搏。该
触发位是在部门超时活跃。
参见图1和图5 。
写脉冲扰动保护
小于5ns的(典型值)的OE , CE或WE脉冲噪声
不会启动写周期。
艾法斯电路技术
7
SCD1667 REV A 97年4月28日纽约州Plainview的( 516 ) 694-6700