表3 - 命令定义
命令
顺序
读/复位
字节编程
芯片擦除
扇区擦除
公共汽车
写
周期
职位月薪
4
6
6
6
第一总线写第二个总线写第三总线写
周期
周期
周期
ADDR
5555H
5555H
5555H
5555H
数据
AAH
AAH
AAH
AAH
ADDR
2AAAH
2AAAH
2AAAH
2AAAH
数据
55H
55H
55H
55H
ADDR
5555H
5555H
5555H
5555H
数据
F0H
A0H
80H
80H
四巴士
读/写
周期
ADDR
RA
PA
5555H
5555H
数据
RD
PD
AAH
AAH
2AAAH
2AAAH
55H
55H
5555H
SA
10H
30H
第五总线写第六总线写
周期
周期
ADDR
数据
ADDR
数据
注意事项：
1.地址位A15 = X =无关。写的序列可以与在任一状态A15启动。
2.地址位A16 = X =不关心，除了程序地址（ PA）和扇区地址（ SA ）的所有地址的命令。
3. RA =内存位置的地址进行读取
PA =地址的存储单元进行编程。地址被锁存，在WE脉冲的下降沿。
要擦除SA =地址的部门。的A16 ， A15的组合， A14将唯一选择任何行业。
在读操作从位置RA读4 RD =数据。
PD =数据到位置PA进行编程。数据锁定在WE的上升沿。
默认值可以确保的，不会有虚假变更
电源转换过程中出现的内存内容。
请参阅AC阅读特点和图7为
特定网络Ç时序参数。
芯片擦除
芯片擦除是六总线周期的操作。有两种
“解锁”写周期。这些后面是写
“建立”命令。两个“解锁”写周期
再其次是芯片擦除命令。
芯片擦除不需要用户编程的
设备擦除之前。在执行嵌入
擦除算法命令序列（图4）的
设备会自动编程和验证整个
内存之前，电器全零数据形式
抹去。在擦除所有部门同时进行
同时。该系统不要求提供
在这些操作任何控制或定时。
注意：
帖子擦除数据状态是所有"1"s 。
自动擦除开始于最后的上升沿
WE脉冲中的命令序列和终止
当D7的数据是"1" （请参阅写操作状态
部 - 表3 ），其时该装置retums读
模式。见图4和9 。
字节编程
对器件进行编程的一个字节一个字节的基础。
编程是一个四总线周期操作。有
2 "unlock"写周期。这些在后面的是
计划建立的命令和数据写入周期。
地址锁存CE或WE的下降沿，
以后到为准，而数据被锁存的
CE上升边缘或WE以先到为准。该
CE的上升沿或WE （先发生者为准）开始
编程使用嵌入式程序算法。
在执行该程序的算法命令
测序系统是
不
需要提供进一步
控制或定时。该设备会自动提供
充足的内部产生编程脉冲和验证
程序性细胞。
在自动编程操作完成
当D中的数据
7 (
也用作数据轮询）被
相当于写入该位的数据，此时
设备返回到读模式和地址是不
再锁定。因此，该装置需要一个有效的
地址由系统在这个特定的供给
实例的时间进行数据轮询操作。数据轮询
必须在其被存储的位置进行
编程。
在嵌入式写入芯片的任何命令
程序算法将被忽略。
编程允许以任何顺序和跨
扇区边界。要注意的是数据"0"不能
程序返回一个“ 1" 。尝试这样做可能
导致设备超过编程时间限制（D5
= 1），或导致表面上的成功，根据本
数据轮询算法，但是从复位/读取模式读取
将显示该数据仍然是“ 0" 。只有擦除操作
可以将“ 0"s为” 1"s 。
图3示出使用的编程算法
典型的命令字符串和总线操作。
扇区擦除
扇区擦除是六总线周期的操作。有两种
＆ QUOT ;解锁＆ QUOT ;写周期。这些后面是写
＆ QUOT ;设置＆ QUOT ;命令。两个＆ QUOT ;解锁＆ QUOT ;写周期
再其次是扇区擦除命令。部门
地址（所希望的扇区内的任意地址的位置）
被锁定在WE的下降沿，而命令
（ 30H ）被锁定在WE的上升沿。经过
超时为80μs的从最后一个扇区的上升沿
擦除命令后，扇区擦除操作将开始。
多个部门同时可以通过书面形式删除
六个总线周期的操作，如上所述。这
序列之后的扇区擦除的写
命令，在其他行业所需的地址是
同时擦除。写操作之间的时间必须是
不足为80μs ，否则该命令将不
接受和擦除开始。所以建议
处理器的中断在这段时间内被禁用
保证这种状态。
该中断可
重新启用后的最后一个扇区擦除命令
写的。超时为80μs从的上升沿
最后，我们将启动扇区擦除的执行
命令（S ） 。如果发生了WE的另一个下降沿
6
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