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ACT-S512K8N-020P4I 参数 Datasheet PDF下载

ACT-S512K8N-020P4I图片预览
型号: ACT-S512K8N-020P4I
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内容描述: ACT- S512K8高速4兆位单片SRAM [ACT-S512K8 High Speed 4 Megabit Monolithic SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 8 页 / 86 K
品牌: AEROFLEX [ AEROFLEX CIRCUIT TECHNOLOGY ]
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绝对最大额定值
符号
T
C
T
英镑
P
D
V
G
V
CC
T
J
参数
案例工作温度。
储存温度
最大封装功耗
最大信号电压对地
电源电压
结温
最低
-55
-65
-
-0.5
-0.5
-
最大
+125
+150
1.1
V
CC
+ 0.5
+7.0
+150
单位
°C
°C
W
V
V
°C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
工作温度。 ( MIL)
最低
+4.5
+2.2
-0.5
-55
最大
+5.5
V
CC
+ 0.3
+0.8
+125
单位
V
V
V
°C
真值表
模式
待机
输出禁用
CE
H
L
L
L
OE
X
L
H
X
WE
X
H
H
L
数据I / O
高Z
数据输出
高Z
DATA IN
动力
待机(取消/省电)
活跃
主动(未选中)
活跃
电容
(V
IN
= 0V , F = 1MHz时, TC = 25 ° C,除非另有说明,保证,但未经测试
)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容(A
0-18
我们& OE )
输出电容( I / O
0-7
& CE)
最大
20
20
单位
pF
pF
DC特性
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ,TC = -55 ° C至+ 125°C ,除非另有规定)
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流
待机电流
输出低电压
输出高电压
艾法斯电路技术
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
SB
条件
V
CC
=最大,V
IN
= 0至V
CC
CE = V
IH
, OE = V
IH
, V
OUT
= 0至V
CC
CE = V
IL
, OE = V
IH
, VCC = 5.5V ,
F = 5MHz的CMOS兼容
CE = VCC , OE = V
IH
, VCC = 5.5V ,
F = 5MHz的CMOS兼容
所有速度
单位
最小最大
-10
-10
-
-
-
2.4
SCD1664 REV C 00年5月10日
+10
+10
170
20
0.4
-
µA
µA
mA
mA
V
V
V
OL
I
OL
= 8毫安, VCC = 4.5V
V
OH
I
OH
= -4毫安, VCC = 4.5V
2
纽约州Plainview的( 516 ) 694-6700