推荐工作条件
符号
V
DD
T
C
V
IN
参数
正电源电压
外壳温度范围
直流输入电压
范围
4.5 〜5.5
-55到+125
0到V
DD
单位
V
°C
V
DC电气特性（前/后辐射） *
(V
DD
= 5.0V
±
10％ ; -55°C <牛逼
C
＆ LT ; + 125°C ）
符号
V
IH
V
IL
V
OL1
V
OL2
V
OH1
V
OH2
C
IN 1
C
IO 1,4
I
IN
I
OZ
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
低电平输出电压
低电平输出电压
高电平输出电压
高电平输出电压
输入电容
（ TTL）的
（ TTL）的
I
OL
= 4.0毫安，V
DD
= 4.5V （ TTL）的
I
OL
= 200μA ，V
DD
= 4.5V （ CMOS）的
I
OH
= -200μA ，V
DD
= 4.5V （ CMOS）的
I
OH
= -2.0mA ，V
DD
= 4.5V （ TTL）的
ƒ
= 1MHz时， V
DD
= 5.0V
V
IN
= 0V
ƒ
= 1MHz时， V
DD
= 5.0V
V
OUT
= 0V
输入漏电流
三态输出漏
当前
V
IN
= 0V至V
DD
V
O
= 0V至V
DD
V
DD
= 5.5V
OE = 5.5V
V
DD
= 5.5V, V
O
= V
DD
V
DD
= 5.5V, V
O
= 0V
TTL输入电平（I
OUT
= 0), V
IL
=
0.2V
V
DD
， PE = 5.5V
CMOS输入电平V
IL
= V
SS
+0.25V
CE = V
DD
- 0.25 V
IH
= V
DD
- 0.25V
-5
-10
5
10
µA
µA
V
DD
-0.1
2.4
15
条件
最低
2.4
0.8
0.4
V
SS
+ 0.10
最大
单位
V
V
V
V
V
V
pF
双向I / O容量
15
pF
I
OS 2,3
I
DD1
（ OP ）
5
输出短路电流
90
-90
mA
mA
电源电流工作
@ 25.0MHz （ 40ns的产品）
@ 22.2MHz （为45nS产品）
电源电流待机
125
117
2
mA
mA
mA
I
DD2
（SB）
后RAD
注意事项：
*后辐射性能保证每MIL -STD- 883方法1019的1E6 RAD （SI ） 25 ℃。
1.测量仅在初步认证，并经过工艺或设计变更，可能会影响输入/输出电容。
2.提供的设计极限，但不能保证或测试。
3.不能有多于一个的输出可以在一个时间为一秒的最大持续时间要短。
4.功能测试。
5.减额在3.0毫安/ MHz的。
3
AEROFLEX [ AEROFLEX CIRCUIT TECHNOLOGY ]
