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    UT7C139C55GPX 参数 Datasheet PDF下载

    UT7C139C55GPX图片预览
    型号： UT7C139C55GPX
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 4Kx8 / 9抗辐射双口静态RAM与忙标志 [4Kx8/9 Radiation-Hardened Dual-Port Static RAM with Busy Flag]
    分类和应用： 内存集成电路静态存储器
    文件页数/大小： 21 页 / 360 K
    品牌： AEROFLEX [ AEROFLEX CIRCUIT TECHNOLOGY ]
     浏览型号UT7C139C55GPX的Datasheet PDF文件第6页浏览型号UT7C139C55GPX的Datasheet PDF文件第7页浏览型号UT7C139C55GPX的Datasheet PDF文件第8页浏览型号UT7C139C55GPX的Datasheet PDF文件第9页浏览型号UT7C139C55GPX的Datasheet PDF文件第11页浏览型号UT7C139C55GPX的Datasheet PDF文件第12页浏览型号UT7C139C55GPX的Datasheet PDF文件第13页浏览型号UT7C139C55GPX的Datasheet PDF文件第14页  
    t
    WC
    地址
    CE
    t
    SCE
    t
    AW
    t
    HA
    t
    PWE
    t
    SA
    t
    SD
    数据有效
    读/写
    t
    HD
    DATA IN
    OE
    数据输出
    t
    HZOE
    高IMPE DANCE
    t
    LZOE
    假设：
    1.存储器的内部写入时间由CE的重叠限定
    低和R / W为低电平。这两个信号必须为低电平启动写，
    而无论是信号可以通过去HIGH结束写入。数据输入
    建立和保持时间应参考的上升沿
    信号终止写。
    2.如果OE是低电平期间， R / W控制的写周期，写脉冲
    宽度必须吨的大
    PWE
    或（T
    HZWE
    + t
    SD
    ），以允许I / O的
    司机关掉和数据放置在总线上用于所需吨
    SD
    .
    如果OE为高电平期间，一个R / W控制的写周期（如在此例
    PLE ） ，这一要求并不适用，写脉冲可以作为
    短于指定T
    PWE
    .
    3. R / W必须在所有的地址数据高。
    图4a。写周期1 ： OE三态数据的I / O （任一端口）
    10

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