欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

UT7C139C55GPX 参数 Datasheet PDF下载

UT7C139C55GPX图片预览
型号: UT7C139C55GPX
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 4Kx8 / 9抗辐射双口静态RAM与忙标志 [4Kx8/9 Radiation-Hardened Dual-Port Static RAM with Busy Flag]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 21 页 / 360 K
品牌: AEROFLEX [ AEROFLEX CIRCUIT TECHNOLOGY ]
 浏览型号UT7C139C55GPX的Datasheet PDF文件第7页浏览型号UT7C139C55GPX的Datasheet PDF文件第8页浏览型号UT7C139C55GPX的Datasheet PDF文件第9页浏览型号UT7C139C55GPX的Datasheet PDF文件第10页浏览型号UT7C139C55GPX的Datasheet PDF文件第12页浏览型号UT7C139C55GPX的Datasheet PDF文件第13页浏览型号UT7C139C55GPX的Datasheet PDF文件第14页浏览型号UT7C139C55GPX的Datasheet PDF文件第15页  
t
WC
地址
t
SCE
t
AW
读/写
t
S A
t
PWE
t
HA
CE
t
WHWL
t
SD
DATA IN
数据有效
t
HD
t
HZWE
数据输出
t
LZWE
高阻抗
假设:
1.
的存储器内写入时间由CE的重叠限定
低和R / W为低电平。这两个信号必须为低来初始化写操作,以
而无论是信号可以通过去HIGH结束写入。数据输入
建立和保持时间应参照的是显的上升沿
最终终止了写。
2. R / W必须在所有的地址数据高。
3.数据I / O引脚输入,即使OE期间举行低阻抗高
写。
图4b。写周期2 : R / W三美国数据的I / O (任一端口)
11