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UT8CR512K32-17VCC 参数 Datasheet PDF下载

UT8CR512K32-17VCC图片预览
型号: UT8CR512K32-17VCC
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内容描述: UT8CR512K32 16兆位的SRAM [UT8CR512K32 16 Megabit SRAM]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 16 页 / 318 K
品牌: AEROFLEX [ AEROFLEX CIRCUIT TECHNOLOGY ]
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数据保持特性(预辐射)
3
(V
DD2
= V
DD2
(分钟) , 1秒脉冲DR )
符号
V
DR
I
DDR 1
设备类型1
I
DDR 1
设备类型2
t
EFR1,2
t
R1,2
数据保持电流
参数
V
DD1
数据保留
数据保持电流
1.0
-55°C
25°C
125°C
-40°C
25°
125°C
0
t
AVAV
最低
1.0
--
最大
--
600
600
30
600
600
30
单位
V
µA
µA
mA
µA
µA
mA
ns
ns
--
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
0
t
AVAV
注意事项:
*后辐射性能保证每MIL -STD- 883方法1019 25 ℃。
1.恩= V
DD2
所有其它输入= V
DD2
或V
SS
2. V
DD2
= 0伏特至V
DD2
(最大)
数据保持方式
1.7V
V
DD1
t
EFR
V
SS
EN
V
IN
<0.3V
DD2
CMOS
1.7V
V
DR
& GT ;
1.0V
t
R
V
IN
>0.7V
DD2
CMOS
V
DD2
图5.低V
DD
数据保存波形
CMOS
V
DD2
-0.05V
188欧姆
1.4V
0.0V
10%
90%
< 2ns的
50pF
输入脉冲
< 2ns的
注意事项:
1. 50pF的范围包括探头和测试插座。
2.测量数据输出发生在从低到高或高到低的过渡中点
(即, CMOS输入= V
DD2
/2).
图6. AC测试负载和输入波形
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