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    UT8CR512K32-17VCC 参数 Datasheet PDF下载

    UT8CR512K32-17VCC图片预览
    型号： UT8CR512K32-17VCC
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： UT8CR512K32 16兆位的SRAM [UT8CR512K32 16 Megabit SRAM]
    分类和应用： 内存集成电路静态存储器
    文件页数/大小： 16 页 / 318 K
    品牌： AEROFLEX [ AEROFLEX CIRCUIT TECHNOLOGY ]
     浏览型号UT8CR512K32-17VCC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号UT8CR512K32-17VCC的Datasheet PDF文件第4页浏览型号UT8CR512K32-17VCC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号UT8CR512K32-17VCC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号UT8CR512K32-17VCC的Datasheet PDF文件第8页浏览型号UT8CR512K32-17VCC的Datasheet PDF文件第9页浏览型号UT8CR512K32-17VCC的Datasheet PDF文件第10页浏览型号UT8CR512K32-17VCC的Datasheet PDF文件第11页  
    t
    AVAV
    A(18:0)
    DQN （ 7 ： 0 ）
    上一页有效数据
    有效数据
    t
    AVQV
    假设：
    1.恩和G < V
    IL
    （ max）和Wn的> V
    IH
    （分钟）
    t
    AXQX
    图3a。 SRAM读周期1 ：地址访问
    A(18:0)
    En
    t
    ETQV
    DQN （ 7 ： 0 ）
    t
    ETQX
    t
    EFQZ
    数据有效
    假设：
    1.摹< V
    IL
    （ max）和Wn的> V
    IH
    （分钟）
    图3b 。 SRAM读周期2 ：芯片使能控制的访问
    t
    AVQV
    A(18:0)
    G
    t
    GHQZ
    t
    GLQX
    DQN （ 7 ： 0 ）
    假设：
    1.恩< V
    IL
    （ max）和Wn的> V
    IH
    （分钟）
    数据有效
    t
    GLQV
    图3c 。 SRAM读周期3 ：输出使能控制的访问
    7

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