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    UT8Q512K32-SWC 参数 Datasheet PDF下载

    UT8Q512K32-SWC图片预览
    型号： UT8Q512K32-SWC
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    内容描述： 16Megabit SRAM MCM [16Megabit SRAM MCM]
    分类和应用： 内存集成电路静态存储器
    文件页数/大小： 14 页 / 138 K
    品牌： AEROFLEX [ AEROFLEX CIRCUIT TECHNOLOGY ]
     浏览型号UT8Q512K32-SWC的Datasheet PDF文件第2页浏览型号UT8Q512K32-SWC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号UT8Q512K32-SWC的Datasheet PDF文件第4页浏览型号UT8Q512K32-SWC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号UT8Q512K32-SWC的Datasheet PDF文件第7页浏览型号UT8Q512K32-SWC的Datasheet PDF文件第8页浏览型号UT8Q512K32-SWC的Datasheet PDF文件第9页浏览型号UT8Q512K32-SWC的Datasheet PDF文件第10页  
    交流特性读周期（前/后辐射） *
    （ -40 ° C至+ 125°C ） （V
    DD
    = 3.3V + 0.3)
    符号
    t
    AVAV 1
    t
    AVQV
    t
    AXQX 2
    t
    GLQX 2
    t
    GLQV
    t
    GHQZ 2
    t
    ETQX 2,3
    t
    ETQV 3
    t
    EFQZ 1 ，2，4
    读周期时间
    读取时间
    输出保持时间
    G-控制的输出使能时间
    G-控制的输出使能时间（读周期3 ）
    G-控制输出三态时间
    恩控制输出使能时间
    恩控制访问时间
    恩控制输出三态时间
    3
    25
    10
    3
    3
    10
    10
    参数
    民
    25
    25
    最大
    单位
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    注意事项：
    *后辐射性能保证在25
    °C
    每MIL -STD- 883方法1019 。
    1.功能测试。
    2.三态被定义为从稳态输出电压的300mV的变化。
    3. ET （实现真正的）符号是指恩的下降沿。 SEU免疫不影响读出的参数。
    4. EF （使假）表示法是指恩的上升沿。 SEU免疫不影响读出的参数。
    高Z到主动级别
    主动到高阻水平
    V
    负载
    + 300mV的
    }
    V
    负载
    V
    负载
    - 300mV的
    {
    {
    }
    V
    H
    - 300mV的
    V
    L
    + 300mV的
    图3. 3伏SRAM加载
    6

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