DC电气特性（前/后辐射） *
（ -40 ° C至+ 125°C ） （V
DD
= 3.3V + 0.3)
符号
V
IH
V
IL
V
OL1
V
OL2
V
OH1
V
OH2
C
IN 1
C
IO 1
I
IN
I
OZ
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
低电平输出电压
低电平输出电压
高电平输出电压
高电平输出电压
输入电容
双向I / O容量
输入漏电流
三态输出漏电流
（ CMOS）的
（ CMOS）的
I
OL
= 8毫安，V
DD
=3.0V
I
OL
= 200μA ，V
DD
=3.0V
I
OH
= -4mA ，V
DD
=3.0V
I
OH
= -200μA ，V
DD
=3.0V
ƒ
= 1MHz的@ 0V
ƒ
= 1MHz的@ 0V
V
SS
＆ LT ; V
IN
＆ LT ; V
DD,
V
DD
= V
DD
（最大）
0V ＆ LT ; V
O
＆ LT ; V
DD
V
DD
= V
DD
（最大）
G = V
DD
（最大）
I
操作系统2,3
I
DD
（ OP ）
输出短路电流
电源电流工作
@ 1MHz的
（每字节）
0V ＆ LT ; V
O
＆ LT ; V
DD
输入： V
IL
= 0.8V,
V
IH
= 2.0V
I
OUT
= 0毫安
V
DD
= V
DD
（最大）
输入： V
IL
= 0.8V,
V
IH
= 2.0V
I
OUT
= 0毫安
V
DD
= V
DD
（最大）
I
DD2
（SB）
标称的待机电源电流
@0MHz
（每字节）
输入： V
IL
= V
SS
I
OUT
= 0毫安
EN = V
DD
- 0.5, V
DD
= V
DD
（最大）
V
IH
= V
DD
- 0.5V
注意事项：
*后辐射性能保证每MIL -STD- 883方法101 9 25 ℃。
1.仅在初步认证后，可能会影响输入/输出电容的工艺或设计变更测量。
2.提供的设计极限，但不能保证或测试。
3.不能有多于一个的输出可以在一个时间为一秒的最大持续时间要短。
条件
民
2.0
最大
单位
V
0.8
0.4
0.08
2.4
V
DD
-0.10
32
16
-2
-2
2
2
V
V
V
V
V
pF
pF
µA
µA
-90
90
125
mA
mA
I
DD1
（ OP ）
电源电流工作
@40MHz
（每字节）
180
mA
-40 ° C和
25°C
+125°C
6
40
mA
mA
5
AEROFLEX [ AEROFLEX CIRCUIT TECHNOLOGY ]
