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AT-32011 参数 Datasheet PDF下载

AT-32011图片预览
型号: AT-32011
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内容描述: 低电流,高性能硅NPN双极晶体管 [Low Current, High Performance NPN Silicon Bipolar Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 10 页 / 125 K
品牌: AGILENT [ AGILENT TECHNOLOGIES, LTD. ]
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AT- 32011 , AT- 32033绝对最大额定值
符号
V
EBO
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
参数
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
功耗
[2, 3]
结温
储存温度
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
绝对
最大
[1]
1.5
11
5.5
32
200
150
-65到150
热阻
[2]
:
θ
jc
= 550
° C / W
注意事项:
1.操作这个设备上面的任何一个
这些参数可能会导致永久性的
损害。
2. T
安装面
= 25°C.
3.减免1.82毫瓦/°C,对于T
C
> 40℃。
电气规格,T
A
= 25
°
C
AT-32011
符号
NF
G
A
h
FE
I
CBO
I
EBO
参数和测试条件
噪声系数
V
CE
= 2.7 V,I
C
= 2毫安
相关的增益
V
CE
= 2.7 V,I
C
= 2毫安
F = 0.9 GHz的
F = 0.9 GHz的
单位
dB
dB
µA
µA
12.5
[1]
70
分钟。
典型值。
1.0
[1]
14
[1]
300
0.2
1.5
马克斯。
1.3
[1]
11
[2]
70
分钟。
AT-32033
典型值。
1.0
[2]
12.5
[2]
300
0.2
1.5
马克斯。
1.3
[2]
正向电流传输比
V
CE
= 2.7 V,I
C
= 2毫安
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 3 V
发射Cuto FF电流
V
EB
= 1 V
注意事项:
1.测试电路A,如图1。数字反映了设备的性能脱嵌的电路损耗。输入损耗= 0.3分贝;
输出损耗= 0.3分贝。
2.测试电路B ,如图1。数字反映了设备的性能脱嵌的电路损耗。输入损耗= 0.3分贝;
输出损耗= 0.3分贝。
1000 pF的
V
BB
W = 10 L = 1870
W = 30
L = 60
W = 30
L = 60
V
CC
W = 10 L = 1870
1000 pF的
CKT答: 25
CKT B: 5
RF OUT
在RF
W = 10
CKT答: L = 380
CKT B: L = 380
测试电路
董事会MATL = 0.062" FR - 4 ( ε = 4.8 )
CKT答: W = 30 L = 50× 2
CKT B: W = 30 L = 60
W = 10
CKT答: L = 105
CKT B: L = 850
不按比例
在密尔尺寸
图1.测试电路的噪声系数和相关的增益。
该电路是最佳的噪声系数,增益最好,稳定性和实用之间的平衡匹配
综合匹配。
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