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AME9002AETH 参数 Datasheet PDF下载

AME9002AETH图片预览
型号: AME9002AETH
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内容描述: CCFL背光控制器 [CCFL Backlight Controller]
分类和应用: 控制器
文件页数/大小: 37 页 / 816 K
品牌: AKM [ ASAHI KASEI MICROSYSTEMS ]
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AME公司
AME9002
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INAR
LIM
PRE
CCFL背光控制器
n
应用笔记
概观
该AME9002应用电路驱动CCFL (冷
阴极荧光灯)具有高电压正弦波
为了生产效率和成本有效的光
源。最常见的应用,这将是作为
任一笔记本电脑显示器的背光源,平
面板显示,或个人数字助理(PDA) 。
在CCFL灯管在这些应用中通常是
玻璃棒的范围可以从数厘米至30cm以上
和2.5mm至6mm的直径。通常情况下,他们需要一个
600V的正弦波和它们在几个电流运行
毫安。然而,起始(或撞击)电压
可高达2000V 。在启动管模样
开路,等离子已经被创建后的
阻抗下降和电流开始流动。出发
电压也被称为启辉电压,因为
这是电压在该圆弧“罢工”,通过
血浆。这些管的IV特性是高度
非线性的。
传统上所需要的高电压用于CCFL操作
化一直使用某种变压器的研制 -
LC储能电路组合由几个小功率驱动
氧化物半导体场效应晶体管。该AME9002应用程序使用一个外部
PMOS , 2个外部NMOS和高匝比变压器
前者用centertapped初选。灯调光
通过旋转灯开启和关闭的速率更快的实现
比人眼能够检测,有时被称为“占空
循环调光“ 。这些"on - off"周期被称为
调光周期。备用调光方案也
可用。
稳态电路工作原理
图1显示了AME9002的框图。
在整个数据表相同的部件已经
给予同样的,即使它们在一个differ-
耳鼻喉科的身影。方框图显示PMOS驱动Q2
T1的中心抽头的主。 Q2的栅极驱动器是一个
脉冲宽度调制(PWM)信号,用于控制
电流流入变压器初级和推而广之,
控制中的CCFL的电流。的栅极驱动信号
Q2驱动一路攀升至电池电压和向下
到比VBATT 7.5伏,这样的逻辑电平晶体管
没有它们的栅极,可以使用被损坏。一
内部钳位防止从Q2的栅极驱动器( OUTA )
比驾驶的Vbatt - 7.5V低。
NMOS晶体管Q3-1和Q3-2交叉连接
变压器初级到VSS的外部节点。
这些晶体管是由50%占空比的方从动
在一半的驱动信号的频率施加波
到Q2的栅极。
10
图3说明了一些理想的栅极驱动波形
CCFL的应用程序。图4和图5是详细的视图
从图中的电源部分1和2所示。图5具有
加入,同时图4中的变压器的寄生元件
不。参照图4和图5中, NMOS晶体管
器Q3-1和Q3-2被异相驱动以50%的
由波形在图3中所示的占空比的信号。
在NMOS驱动信号的频率将是频
昆西在该CCFL的驱动。 PMOS晶体管,
Q 2 ,驱动用脉冲宽度调制信号(PWM)的
在所述NMOS的两倍的频率的驱动信号。在
换句话说,PMOS晶体管被导通和关断
一旦为每一个时间每NMOS晶体管接通。在这
情况下,当NMOS晶体管Q3-1和PMOS晶体管
Q2是两个上,然后NMOS晶体管Q3-2是关闭的,所述
连接到NMOS晶体管的初级线圈的侧
Q3-1被驱动到地,反式的centertap
前者主要被驱动到电池电压。另
连接到NMOS晶体管的初级线圈的侧
Q3-2 (现在是“关” )被驱动,以将电池电压的两倍
(因为每个绕组的初级的具有相等num-
圈BER) 。
电流持续上升,在初级的连接侧
到Q3-1 ( “开”的晶体管) ,传送功率的
变压器的次级线圈。从传递的能量
主激励的反式所形成的谐振电路
前漏感和寄生电容的
在变压器次级存在。寄生电容
可用距离来从所述变压器的所述电容仲
继发本身,布线电容,以及寄生
在CCFL的电容。某些应用程序可能气动执行
盟友加入少量并联电容(约10pF的)
在变压器中,以支配所述输出
寄生电容元件。
当在PMOS ,Q2关断,的电压
变压器centertap返回到地一样的漏极
NMOS晶体管Q3-2的( Q3-2的漏极是在两次
电池电压) 。中途经过一个周期, NMOS
晶体管Q3-1 (这是在)关闭和NMOS晶体管
器Q3-2 (这是关闭)开启。在这一点上, PMOS管
晶体管Q2再次导通,允许电流斜坡上升
在这以前没有电流的初级侧。
能量在所述初级绕组传递到仲
继发绕组,并再次存储在泄漏电感
tance L
泄漏
,但此时以相反的极性。该
电流交替经过一个初级绕组则
另一个。
PMOS晶体管Q2的占空比控制
的功率量从初级绕组到转印
次级绕组变压器中。需要注意的是
CCFL的电路可以用在CON- PMOS晶体管Q2的工作