AME公司
AME9002
y
INAR
LIM
PRE
CCFL背光控制器
地开设（即100％的占空比） ，虽然功率
将未经调节在这种情况下。
图6,7所示的各种示波器的波形
由CCFL的电路工作时产生的。这些图
URES表明，在Q 2的栅极驱动器的占空比
会随着电池电压增加，从9 V到
21 V（如人们所期望的，以便保持相同的
输出功率） 。
在图6和图7中的前三个迹线示出了门
驱动波形晶体管Q2， Q3-1和Q3-2 ，再
spectively 。如之前所提到的，在栅极驱动波形
形式为晶体管Q2驱动多达电池电压但
仅下跌约7.5 V以下时，电池电压
年龄。第四迹线（图6,7 ）表示电压
在初级绕组的centertap （它也是漏
PMOS晶体管， Q 2） 。该波形基本上是一个
研磨以改变占空比的电池电压脉冲。
当初级的centertap被驱动为高，电流
通过PMOS晶体管， Q 2增加所指示
第六迹线从上往下。在区域I漏
Q2的电流是相等且相反的漏极电流
Q3-1自Q3-1的栅极为高和Q3-1是上。在
区域III Q2的漏极电流将是相等的，并沿相反
现场Q3-2的漏极电流（未示出）。二区
当PMOS晶体管Q2被关断时，电流
通过该晶体管，最初的大幅下滑后，斜
回落到零。
在图6和图7中的第五迹线从上向下
示Q3-1的漏极电压。 （跟踪的NMOS
晶体管Q3-2 ，未示出，将是相同的，但移
在时间上半个周期。 ）第七跟踪从下
顶部示出了电流通过NMOS晶体管
Q3-1 ，它等于在PMOS晶体管的电流
对于时间的部分，其PMOS晶体管Q 2 Q 2是
进行（见区域I ，例如） 。作为当前
倾斜上升的初级绕组，能量被传递到
次级绕组，并存储在泄漏电感
tance L
泄漏
（并且在第二代的任何寄生电容
ARY绕组） 。如果在所述NMOS晶体管的电流为
接近零，当该NMOS晶体管被关断
这意味着， CCFL的电路被驱动接近
它的谐振频率。如果电路被驱动太
远离其共振点则会有较大的残余
在所述晶体管的电流时便被关闭caus-
荷兰国际集团的大振荡，低效率，更强调对
组件。所谓"soft switching"实现时
该MOS漏极电流是零，而在MOS正在
关闭。驱动频率和变压器参
ETERS的选择应使该软切换发生。
一旦PMOS晶体管Q2的完成一个开/关循环，
12
它再次重复与备用NMOS晶体管
在进行。这种互补的操作产生一个
对称，在在 - 近似正弦波的波形
放与CCFL负载，如图中的底部曲线
图6和图7 。
CCFL的电路的操作可分为4
区域（ I，II， III和IV ） ，如图6和图7 。
图8-1显示了等效变压器和负载税务局局长
对于区域一扣器模型在区域I ，革命制度党之一
玛丽绕组跨过电池连接，所述电流
租在蜿蜒的增加和能量耦合
对面的中学。在其它没有电流流过
绕组由于其NMOS关闭，它的身体
二极管反向偏置。该NMOS管的漏极保持
在电池电压的两倍，因为这两个初级绕组
英格斯具有相同的匝数和所述电池电压
年龄跨越其他初级绕组强迫。
图8-2显示了等效变压器和负载
电路模型区II 。在区域II ，电池
从初级绕组断开。在这种组态
比，电流流过这两个初级绕组的
英格斯。目前跌幅很快在第一话
减速至零的速率比慢
目前加足马力。最初压降是由于几乎
瞬时变化时，电感电流流
卷绕到两个从主的一部分移
主要的部分。
图8-3给出了等效变压器和负载
电路模型III区。在区域III中，主
从地区使用的一个绕组相反我所配置
连接的电池两端，增加的电流在该革命制度党
边绕组，但在相反的区域的方向
一，能源跨接于二次作为重新
祗园我但具有相反的极性。在没有电流流过
未驱动绕组，因为它的NMOS截止，其
体二极管反向偏置。该NMOS管的漏极
保持在电池电压，因为这两个主两次
绕组的匝数与所述电池的数相同
电压强加给其他初级。三区， EF-
fectively ，区域I的逆
图8-4显示了等效变压器和负载
电路模型区IV 。在区域IV中，电池
从初级绕组断开。在这种CON-
成形，电流流过这两个初级绕组的
INGS用相反的极性，在区域II中。该电流
租金下降速度非常快，在第一个接着减速至
零的速率是慢于当前的斜坡上升。
再次，初始压降是由于有效的变化
在电感时，从其中一个部分的电流的变化
初级绕组与初级的两个部分。重
祗园IV是有效的区域II的倒数。
AKM [ ASAHI KASEI MICROSYSTEMS ]
