EPAD®性能特点
精密匹配的一对MOSFET系列（续）
操作的亚阈值区
低压系统，即那些在5V ， 3.3V或更低运行，
通常要求具有1V或阈值电压的MOSFET
减。该阈值，或导通时， MOSFET的电压是电压
低于MOSFET的导通通道迅速关闭。为
模拟设计，该阈值的电压直接影响操作
信号电压范围和工作偏置电流电平。
等于或低于阈值电压，一个EPAD MOSFET呈现开启
关在经营地域特点被称为亚阈值重
祗园。这是当EPAD MOSFET的导通通道迅速
熄灭作为减小施加的栅极电压的函数。 CON组
引起的栅极电压的栅极电极上duction通道
呈指数下降，并且使漏电流减小
成倍增长。但是，传导渠道不会关闭
突然以减小栅极电压，但会降低以固定速率
大约每漏电流减小十年116mV 。从而
如果阈值电压为+ 0.20V ，例如，漏极电流
1uA的在V
GS
= + 0.20V 。在V
GS
= + 0.09V ，漏极电流会
下降到为0.1uA 。从此推断，漏极电流是
0.01uA （ 10nA的）在V
GS
= -0.03V ，为1nA在V
GS
= -0.14V ，等等。
此阈下的特性延伸一路下跌到电流
低于1nA的租金水平，并通过其他的电流，如junc-限制
灰漏电流。
在漏极电流被宣布为“零电流”的用户，则Vgs的
电压在这个零电流现在可以进行估计。注意，使用
上面的例子中，V字形
GS （ TH）
= + 0.20V ，漏极电流仍
徘徊在20nA当栅极处于零伏或地。
零温度系数（ ZTC ）操作
对于该产品系列的EPAD MOSFET ，存在操作
指向哪里，导致当前的各种因素，以增加
作为函数的温度达到平衡，那些引起的电流
租减少，从而相互抵消，并导致净
接近零的温度系数。之一的该温度稳定
由ZTC电压偏压条件下，得到的运转点这
高于阈值电压0.55V当V
GS
= V
DS
，导致A
约68uA温度稳定的电流水平。对于其他ZTC OP-
展业务点，见ZTC特点。
性能特点
该EPAD MOSFET产品系列的性能特点
示于以下的图表。在一般情况下，阈值电压
转变为产品每个家庭成员导致其他受影响
电特性偏离与等效线性位移
V
GS （ TH）
偏置电压。这在V线性移位
GS
导致subthresh-
旧的I- V曲线转移线性为好。因此，亚阈值
工作电流可以通过计算门来确定电压
年龄下降相对从它的阈值电压V
GS （ TH）
.
RDS （ ON）在VGS =接地
几个EPAD MOSFET的生产固定电阻时，
其栅极接地。对于ALD110800 ，漏极电流在V
DS
=
0.1V是为1uA在V
GS
= 0.0V 。因此，仅仅通过接地的门
ALD110800 ，其中R的电阻器
DS （ ON）
=〜 RT外接100K产生。
当一个ALD114804栅极接地，漏极电流I
DS
= 18.5
微安@ V
DS
= 0.1V ，制备R
DS （ ON）
= 5.4KOhm 。同样，
ALD114813和ALD114835产生77uA和185uA ， respec-
疑心，在V
GS
= 0.0V ，制备R
DS （ ON）
1.3KOhm的价值观和
540Ohm ，分别。
低功耗和纳安级
当电源电压降低，对一个功率消耗给定的
负载电阻会随着电源电压的平方成正比。所以
在降低电源电压的好处之一是降低功率
消费。同时降低电源电压和功率
消费去手牵手与减少有用的交流带宽
并同时增大了电路的电路噪声的影响
设计者可以在任何必要的权衡和调整
给定的电路设计和偏压电路相应。
与EPAD的MOSFET ，一个电路，它执行特定功能
可以被设计，使得消耗电力最小化。在
某些情况下，这些电路在低功耗模式下工作，其中
电力消耗是衡量微瓦。在其他情况下，功率
耗散可以减小到纳米瓦区，并仍然提供一
有用和控制电路的功能操作。
匹配特性
使用匹配的，对EPAD MOSFET的关键好处是保持
温度跟踪。在一般情况下，对于EPAD的MOSFET匹配的一对
装置中，对匹配的一台设备具有栅极漏电流
结温度的影响，并且漏极电流温度coeffi-
这抵消了类似的效果cient作为偏置电压的函数
其它设备，从而产生温度稳定的电路。由于men-
tioned所说，这种温度稳定性可进一步通过增强
偏置匹配，对在零温度系数（ ZTC ）点，即使
可能需要特殊的电路配置和电源消耗
化的设计考虑。
ALD110808/ALD110808A/ALD110908/ALD110908A
先进的线性器件
4 11
ALD [ ADVANCED LINEAR DEVICES ]
