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ALD110908PAL 参数 Datasheet PDF下载

ALD110908PAL图片预览
型号: ALD110908PAL
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内容描述: QUAD /双N沟道增强型EPAD精密匹配的一对MOSFET阵列 [QUAD/DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE EPAD PRECISION MATCHED PAIR MOSFET ARRAY]
分类和应用:
文件页数/大小: 11 页 / 108 K
品牌: ALD [ ADVANCED LINEAR DEVICES ]
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典型性能特性(续)
漏源电流接通, BIAS
电流与环境温度
漏源电流ON
(MA )
5
100
漏源电流接通, BIAS
电流与环境温度
漏源电流ON
(
µA)
零点温度
系数( ZTC )
125°C
4
3
-55°C
-25°C
0°C
50
2
1
0
VGS(TH)-1
VGS ( TH)
- 25°C
70°C
125°C
0
VGS ( TH ) +1 VGS ( TH ) 2 VGS ( TH ) +3 VGS ( TH ) +4
栅极和漏极源电压
( VGS = VDS) (V)的
V
GS ( TH)
V
GS ( TH)
V
GS ( TH)
V
GS ( TH)
V
GS ( TH)
+0.0
+0.4
+0.2
+0.6
+0.8
栅极和漏极源电压
( VGS = VDS) (V)的
V
GS ( TH)
+1.0
漏源电流与导通电阻
门源极电压( V)
100000
V
GS ( TH)
+4
门源电压与漏极
SOURCE ON电流
D
V
DS
I
DS ( ON)
S
漏源电流
(µA)
10000
1000
100
10
1
0.1
0.01
0.1
VDS=+10V
T
A
= 25°C
VGS = -4.0V至+ 5.4V
V
GS ( TH)
+3
V
GS
V
DS
= 0.5V
T
A
= +125°C
V
GS ( TH)
+2
V
GS ( TH)
+1
V
DS
= 0.5V
T
A
= +25°C
V
DS
= 5V
T
A
= +25°C
V
DS
= 5V
V
DS
= R
ON
• I
DS ( ON)
T
A
= +125°C
VDS=+0.1V
VDS=+5V
VDS=+1V
V
GS ( TH)
V
GS ( TH)
-1
1
10
100
1000
10000
0.1
1
10
100
1000
10000
导通电阻(千欧)
漏源接通电流( μA )
漏源接通电流与
输出电压
5
4
失调电压 -
环境温度
3
代表单位
漏源电流ON
(MA )
TA = 25°C
失调电压(毫伏)
4
VDS = 10V +
2
1
0
-1
-2
-3
-4
3
VDS = + 5V
2
1
VDS = + 1V
0
VGS ( TH)
VGS ( TH ) +1 VGS ( TH ) 2 VGS ( TH ) +3 VGS ( TH ) +4 VGS ( TH ) +5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
输出电压(V)
环境温度( ℃)
栅极漏电流
- 环境温度
栅极漏电流(PA )
600
500
400
300
200
100
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
I
GSS
VGS(TH)+4
门源电压
与ON - 电阻
门源极电压( V)
D
VGS(TH)+3
V
DS
I
DS ( ON)
+125°C
V
GS
VGS(TH)+2
+25°C
VGS(TH)+1
S
0.0V
V
DS
5.0V
VGS ( TH)
0.1
1
10
100
1000
10000
环境温度( ℃)
ON - 阻值(kΩ )
ALD110808/ALD110808A/ALD110908/ALD110908A
先进的线性器件
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