ALD110902 参数 Datasheet PDF下载

型号：	ALD110902
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内容描述：	QUAD /双N沟道增强型EPAD精密匹配的一对MOSFET阵列 [QUAD/DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE EPAD PRECISION MATCHED PAIR MOSFET ARRAY]
分类和应用：
文件页数/大小：	11 页 / 108 K
品牌：	ALD [ ADVANCED LINEAR DEVICES ]

典型性能特性

输出特性

漏源导通电阻

(Ω)

漏源电流ON

（MA ）

漏源导通电阻

与漏源电流

2500

TA = 25°C

= +25°C

VGS-VGS(TH)=+5V

2000

1500

VGS = VGS （TH） + 4V

VGS-VGS(TH)=+4V

VGS-VGS(TH)=+3V

VGS-VGS(TH)=+2V

1000

500

VGS = VGS （ TH ） + 6V

VGS-VGS(TH)=+1V

100

1000

10000

漏源电压（ V）

漏源电流（ μA ）

正向传递特性

漏源电流ON

（MA ）

2.5

VGS （ TH） = -3.5V

跨导主场迎战

环境温度

跨

（毫安/ V）

= 25°C

= +10V

VGS （ TH） = -1.3V

VGS （ TH） = -0.4V

2.0

1.5

1.0

0.5

VGS （ TH） = 0.0V

VGS （ TH） = + 0.2V

VGS （ TH） = + 1.4V

VGS （ TH） = + 0.8V

-4

-2

-50

-25

100

125

栅源电压（ V）

环境温度（ ℃）

阈下正向传递

特征

漏源电流

（ nA的）

10000

1000

VGS(TH)=-1.3V

TA = + 25°C

VDS=+0.1V

VGS(TH)=0.0V

阈下正向传递

特征

漏源电流

（ nA的）

100000

1000

100

0.1

=0.1V

坡〜仅为110mV /十年

0.1

0.01

-4

-3

-2

VGS(TH)=-3.5V

VGS(TH)=+0.2V

VGS(TH)=+0.8V

VGS(TH)=+1.4V

100

VGS(TH)=-0.4V

0.01

GS （ TH）

-1

-0.5

GS （ TH）

-0.4

GS （ TH）

-0.3

GS （ TH）

-0.2

GS （ TH）

-0.1

GS （ TH）

栅源电压（ V）

ALD110802/ALD110902

先进的线性器件

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