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    ALD110902 参数 Datasheet PDF下载

    ALD110902图片预览
    型号： ALD110902
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： QUAD /双N沟道增强型EPAD精密匹配的一对MOSFET阵列 [QUAD/DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE EPAD PRECISION MATCHED PAIR MOSFET ARRAY]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 11 页 / 108 K
    品牌： ALD [ ADVANCED LINEAR DEVICES ]
     浏览型号ALD110902的Datasheet PDF文件第3页浏览型号ALD110902的Datasheet PDF文件第4页浏览型号ALD110902的Datasheet PDF文件第5页浏览型号ALD110902的Datasheet PDF文件第6页浏览型号ALD110902的Datasheet PDF文件第8页浏览型号ALD110902的Datasheet PDF文件第9页浏览型号ALD110902的Datasheet PDF文件第10页浏览型号ALD110902的Datasheet PDF文件第11页  
    典型性能特性（续）
    漏极 - 栅极二极管连接的电压
    TEMPCO与漏源电流ON
    GATE漏极二极管连接的
    TEMPCO电压（MV /
    °C
    )
    5
    1.6
    传输特性
    T
    A
    = 25°C
    V
    DS
    = +10V
    1.2
    VGS （ TH） = -0.4V
    VGS （ TH） = 0.0V
    VGS （ TH） = + 0.2V
    2.5
    跨
    ( mΩ
    -1
    )
    -55°C
    ≤
    T
    A
    ≤
    +125°C
    VGS （ TH） = -3.5V
    VGS （ TH） = -1.3V
    0
    0.8
    -2.5
    0.4
    VGS （ TH） = + 1.4V
    VGS （ TH） = + 0.8V
    -5
    1
    10
    100
    1000
    0.0
    -4
    -2
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    漏源接通电流（ μA ）
    栅源电压（ V）
    ZERO TEMPERETURE系数特性
    栅源电压 - 阈值
    电压（V）的
    0.6
    阈下特性
    2.5
    栅源电压（ V）
    VGS(TH)=-3.5V
    2.0
    1.5
    1.0
    0.5
    0.0
    55°C
    -0.5
    100000 10000
    V
    GS （ TH）
    = 0.2V
    100
    10
    1
    0.1
    0.5
    VGS （ TH ） = - 1.3V ， -0.4V ， 0.0V ， 0.2V + ， + 0.8V ， + 1.4V
    0.3
    25°C
    V
    GS （ TH）
    = 0.4V
    0.2
    0.0
    0.1
    2.0
    1.0
    漏源电压（ V）
    0.5
    0.2
    5.0
    1000
    漏极 - 源极电流（ NA）
    TRANCONDUCTANCE与漏 - 源
    在当前
    1.2
    4.0
    阈值电压 -
    环境温度
    V
    DS
    = + 0.1V我
    D
    = 1.0
    µA
    TARNCONDUCTANCE
    ( mΩ
    -1
    )
    0.9
    阈值VOTAGE
    (V)
    T
    A
    = 25°C
    V
    DS
    = +10V
    3.0
    0.6
    2.0
    V
    t
    = 1.4V
    1.0
    V
    t
    = 0.0V
    0
    V
    t
    = 0.2V
    V
    t
    = 0.8V
    V
    t
    = 0.4V
    50
    75
    100
    125
    0.3
    0.0
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    -50
    -25
    0
    25
    漏极 - 源ON电流（mA）
    环境温度（ ℃）
    栅源电压 - 阈值
    电压（V）的
    V
    GS
    - V
    GS （ TH）
    归一化的阈下
    特性相对
    栅极阈值电压
    0.3
    V
    D
    = 0.1V
    2.0
    阈值电压
    与环境温度
    IDS = + 1μA
    VDS = + 0.1V
    VGS （ TH） = 0.0V
    VGS （ TH） = -0.4V
    VGS （ TH） = -1.3V
    0.1
    0
    -0.1
    -0.2
    -0.3
    -0.4
    10000
    55°C
    25°C
    阈值电压
    (V)
    0.2
    1.0
    0.0
    -1.0
    -2.0
    -3.0
    -4.0
    VGS （ TH） = -3.5V
    1000
    100
    10
    1
    0.1
    -25
    25
    75
    125
    漏 - 源电流（ nA的）
    环境温度（
    O
    C)
    ALD110802/ALD110902
    先进的线性器件
    7 11

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