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AS150-59 参数 Datasheet PDF下载

AS150-59图片预览
型号: AS150-59
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内容描述: 砷化镓集成电路高功率单刀双掷开关阳性对照DC- 3 GHz的 [GaAs IC High Power SPDT Switch Positive Control DC-3 GHz]
分类和应用: 开关射频微波光电二极管
文件页数/大小: 2 页 / 41 K
品牌: ALPHA [ ALPHA INDUSTRIES ]
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砷化镓集成电路高功率单刀双掷开关阳性对照DC- 3 GHz的
AS150-59
典型性能数据( 0 ,+ 5 V)
0.9
0.8
0.7
40
35
30
dB
dB
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
DC
1
2
3
85˚C
25˚C
0˚C
25
20
15
10
DC
1
2
3
频率(GHz )
频率(GHz )
插入损耗与频率
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
DC
1
2
3
隔离与频率的关系
绝对最大额定值
特征
RF输入功率
电源电压
控制电压
工作温度
储存温度
Θ
JC
价值
6 W最大。 > 900兆赫,
0 / + 5 V控制
+8 V
-0.2 V, +8 V
-40 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 150°C
85°C/W
频率(GHz )
引脚输出
GND
C
BL
V
2
V
1
C
BL
J
2
2
7
J
3
1
8
V
S
J
1
C
BL
GND
4
5
VSWR与频率的关系
真值表
V
1
V
0
V
2
0
V
J
1
–J
2
隔离
插入损耗
J
1
–J
3
插入损耗
隔离
V
= +3至+5 V (V
S
= V
± 0.2 V).
外部隔直流电容器所需的所有RF端口。
C
BL
= 100 pF的操作>500兆赫。
2
阿尔法工业公司
[781] 935-5150
传真
[617] 824-4579
电子邮件
sales@alphaind.com
www.alphaind.com
规格如有变更,恕不另行通知。 10 / 99A
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