18-40 GHz的砷化镓MMIC可变电压衰减器
AV850M2-00
典型性能数据
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
-45
20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 46 48 50
-1.0
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0.0
V
C2
:
-1.6 – -3.0
-1.4
-1.2
0
-5
膝关节
膝关节
膝关节
电压1电压2电压3
V
C1
= -1V
衰减（dB ）
*
衰减（dB ）
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
-3.25
-0.25
例如芯片1
例2芯片
例如芯片3
*
频率（GHz ）
衰减与频率（V
C1
= 0 V)
28
26
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
-2
-20 -18 -16 -14 -12 -10 -8
控制电压V
C2
(V)
例如芯片到芯片的变异任何
操作单频
（低频带）
*
星图中表示从电气保证衰减的限制
规格表（膝盖电压变化范围是-3.25 V至约-1.0 V） 。
1 dB输入功率
偏置安排
V
C2
-6
-4
-2
0
衰减（dB ）
衰减与1.0分贝压缩
RF
0
-5
20 GHz的
30 GHz的
40 GHz的
50 GHz的
V
C1
V
C1
控制系列器件，以获得最佳驻波比进行调整。
V
C2
控制分流设备，调整设置衰减。
建议控制电压：
对于频率18-35 GHz的： V
C1
= -1 V, V
C2
= -0.25至-3.25 V.
对于频率35-40 GHz的： V
C1
= 0 V, V
C2
= -0.8至-3.25 V.
RF
衰减（dB ）
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
V
C1
= 0 V
-45
-3.0 -2.6 -2.2 -1.8 -1.4 -1.0 -0.6 -0.2 0
电路原理图
在RF
RF OUT
控制电压V
C2
(V)
衰减与控制电压
V
C2
V
C1
2
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规格如有变更，恕不另行通知。 9 / 00A
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