AS4C4M4F0
AS4C4M4F1
®
5V 4M × 4 CMOS DRAM（快页模式）
特点
•组织： 4,194,304字× 4位
•高速
- 50/60 ns的RAS访问时间
- 25/30 ns的列地址访问时间
- 12/15 NS CAS访问时间
• TTL兼容，三态I / O
• JEDEC标准封装
•闩锁电流
≥
200毫安
• ESD保护
≥
2000毫伏
•工业和商业温度可
- 300万， 26分之24针SOJ
- 300万， 26分之24针TSOP
•低功耗
- 活动： 908毫瓦最大
- 待机： 5.5毫瓦最大， CMOS I / O
•快速页模式
•刷新
- 4096刷新周期， 64毫秒刷新间隔
AS4C4M4F0
- 2048刷新周期， 32毫秒刷新间隔
AS4C4M4F1
- RAS-只或CAS先于RAS的刷新或自刷新
管脚配置
SOJ
V
CC
I/O0
I/O1
WE
RAS
*NC/A11
A10
A0
A1
A2
A3
V
CC
1
2
3
4
5
6
8
9
10
11
12
13
26
25
24
23
22
21
19
18
17
16
15
14
GND
I/O3
I/O2
CAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
GND
V
CC
I/O0
I/O1
WE
RAS
*NC/A11
A10
A0
A1
A2
A3
V
CC
1
2
3
4
5
6
8
9
10
11
12
13
引脚名称
TSOP
26
25
24
23
22
21
19
18
17
16
15
14
GND
I/O3
I/O2
CAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
GND
PIN码（ S）
A0到A11
RAS
CAS
WE
I / O0至I / O 3
OE
V
CC
GND
描述
地址输入
行地址选通
列地址选通
写使能
输入/输出
OUTPUT ENABLE
动力
地
AS4C4M4F0
* NC在2K刷新版本; A11的4K刷新版本
选购指南
符号
最大的RAS访问时间
最大列地址访问时间
最大CAS访问时间
最大输出使能（ OE ）访问时间
最小的读或写周期时间
最小快速页模式周期时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
4/11/01; v.0.9
AS4C4M4F0
AS4C4M4F0-50
AS4C4M4F1-50
50
25
12
13
85
25
135
1.0
AS4C4M4F0-60
AS4C4M4F1-60
60
30
15
15
100
30
120
1.0
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
mA
mA
18 P. 1
t
RAC
t
CAA
t
CAC
t
OEA
t
RC
t
PC
I
CC1
I
CC5
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