AS7C1025
AS7C31025
®
功能说明
该AS7C1025和AS7C31025是高性能的CMOS 1048576位的静态随机存取存储器（SRAM）器件
组织为131072字×8位。它们设计用于存储应用中的快速数据存取，低功耗，以及
简单的接口都需要的。
平等地址访问和周期时间（T
AA
, t
RC
, t
WC
）的20年12月15日NS与输出使能访问时间（T
OE
的） 6,7,8 NS是理想
对于高性能应用。该芯片使能输入CE功能可以方便的存储和扩展与多个银行
内存系统。
当
CE
较高的设备进入待机模式。该标准AS7C1025保证不超过27.5毫瓦
在待机模式下消耗，并且通常仅需要5毫瓦两种设备还提供有2.0V的数据保持。
.
写周期是由断言写使能完成（
WE
）和芯片使能（
CE
） 。输入引脚上的I / O0 -I / O7是数据
书面上的上升沿
WE
（写周期1）或
CE
（写周期2）。为了防止总线冲突，外部设备应该推动
I / O引脚后才能输出已禁用带
输出使能（
OE
）或写使能
(
WE
).
读周期是由断言输出使能（完成
OE
）和芯片使能（
CE
） ，用写使能（
WE
）高。该芯片
驱动器I / O管脚与由输入地址所引用的数据字。当任一芯片使能或输出使能无效，或
写使能处于活动状态，输出驱动器保持在高阻抗模式。
所有的芯片的输入和输出为TTL兼容的，并且操作是从一个单一5V电源（ AS7C1025 ）或3.3V电源
（ AS7C31025 ） 。该AS7C1025和AS7C31025被封装在通用的行业标准封装。
绝对最大额定值
参数
在V电压
CC
相对于GND
任何引脚相对于GND电压
功耗
存储温度（塑料）
环境温度与V
CC
应用的
DC电流转换成输出（低电平）
设备
AS7C1025
AS7C31025
符号
V
t1
V
t1
V
t2
P
D
T
英镑
T
BIAS
I
OUT
民
–0.50
–0.50
–0.50
–
–65
–55
–
最大
+7.0
+5.0
V
CC
+ 0.5
1.0
+150
+125
20
单位
V
V
V
W
o
C
o
C
mA
注：应力大于那些在上市
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以外的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
真值表
CE
H
L
L
L
WE
X
H
H
L
OE
X
H
L
X
数据
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
模式
待机（我
SB
, I
SB1
)
禁止输出（I
CC
)
阅读（我
CC
)
写（我
CC
)
关键： X =无关，L =低，H =高
3/23/01; v.1.0
半导体联盟
9 P. 2
ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
