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    AS7C1025-15TJI 参数 Datasheet PDF下载

    AS7C1025-15TJI图片预览
    型号： AS7C1025-15TJI
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 5V / 3.3V 128K ×8 CMOS SRAM （革命引出线） [5V/3.3V 128K x8 CMOS SRAM (Revolutionary pinout)]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 9 页 / 189 K
    品牌： ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
     浏览型号AS7C1025-15TJI的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AS7C1025-15TJI的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AS7C1025-15TJI的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AS7C1025-15TJI的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AS7C1025-15TJI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AS7C1025-15TJI的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AS7C1025-15TJI的Datasheet PDF文件第8页浏览型号AS7C1025-15TJI的Datasheet PDF文件第9页  
    ®
    AS7C1025
    AS7C31025
    写周期（在整个工作范围内）
    11
    -12
    参数
    写周期时间
    芯片使能（ CE）写结束
    地址设置写到底
    地址建立时间
    把脉冲宽度
    从写结束地址保持
    有效的数据写入结束
    数据保持时间
    写使能到输出中高Z
    从输出的写端活跃
    阴影区域包含预览。
    -15
    最大
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    5
    –
    民
    15
    12
    12
    0
    9
    0
    8
    0
    –
    3
    最大
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    5
    –
    民
    20
    12
    12
    0
    12
    0
    12
    0
    –
    3
    -20
    最大
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    5
    –
    单位
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    4, 5
    4, 5
    4, 5
    笔记
    符号
    t
    WC
    t
    CW
    t
    AW
    t
    AS
    t
    WP
    t
    AH
    t
    DW
    t
    DH
    t
    WZ
    t
    OW
    民
    12
    8
    8
    0
    8
    0
    6
    0
    –
    3
    写波形1 （我们控制）
    10,11
    t
    WC
    t
    AW
    地址
    t
    WP
    WE
    t
    AS
    D
    IN
    t
    WZ
    D
    OUT
    t
    DW
    数据有效
    t
    OW
    t
    DH
    t
    AH
    写波形2 （ CE控制）
    10,11
    t
    AW
    地址
    t
    AS
    CE
    t
    WP
    WE
    t
    WZ
    D
    IN
    D
    OUT
    t
    DW
    数据有效
    t
    DH
    t
    CW
    t
    WC
    t
    AH
    3/23/01; v.1.0
    半导体联盟
    9第5页

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