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AS7C256-20TC 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AS7C256-20TC
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内容描述: 高性能32Kx8 CMOS SRAM [High Performance 32Kx8 CMOS SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 8 页 / 128 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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AS7C256
AS7C256L
推荐工作条件
参数
电源电压
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
4.5
0.0
2.2
–0.5*
典型值
5.0
0.0
(T
a
= 0 ° C至+ 70 ° C)
最大
5.5
0.0
V
CC
+1
0.8
单位
V
V
V
V
输入电压
*V
IL
分= -3.0V脉冲宽度小于T
RC
/2.
直流工作特性
1
-10
参数
输入漏
当前
输出漏
当前
工作电源
电源电流
符号测试条件
(V
CC
= 5V ±10 % , GND = 0V ,T
a
= 0 ° C至+ 70 ° C)
-12
-15
-20
-25
-35
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值单位
L
L
L
2.4
1
1
120
115
45
40
2.0
0.5
0.4
2.4
1
1
115
110
40
35
2.0
0.5
0.4
2.4
1
1
110
105
30
25
2.0
0.5
0.4
2.4
1
1
100
95
30
25
2.0
0.5
0.4
2.4
1
1
90
85
25
20
2.0
0.5
0.4
2.4
1
1
80
75
25
20
2.0
0.5
0.4
|
I
LI
|
|
I
LO
|
I
CC
I
SB
V
CC
=最大,
V
in
= GND到V
CC
CE = V
IH
, V
CC
=最大,
V
OUT
= GND到V
CC
CE = V
IL
,
f
=
f
最大,
I
OUT
= 0毫安
CE = V
IH
,
f
=
f
最大
CE > V
CC
–0.2V,
f
= 0,
V
in
0.2V
or
V
in
V
CC
–0.2V
I
OL
= 8毫安, V
CC
=分钟
I
OH
= -4毫安,V
CC
=分钟
µ
A
µ
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
待机
电源
当前
I
SB1
V
OL
V
OH
输出电压
电容
2
参数
输入电容
I / O容量
符号
C
IN
C
I / O
信号的
A, CE, WE , OE
I / O
( F = 1 MHz时,T
a
=室温,V
CC
= 5V)
测试条件
V
in
= 0V
V
in
= V
OUT
= 0V
最大
5
7
单位
pF
pF
3