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AS7C31024B-15TCN 参数 Datasheet PDF下载

AS7C31024B-15TCN图片预览
型号: AS7C31024B-15TCN
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内容描述: 3.3V 128K ×8 CMOS SRAM [3.3V 128K X 8 CMOS SRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 9 页 / 121 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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AS7C31024B
®
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
工作环境温度
V
IL
= -1.0V脉冲宽度小于5ns的
V
IH =
V
CC
+ 1.5V的脉冲宽度小于5ns的
符号
V
CC
V
IH
V
IL
广告
T
A
3.0
2.0
–0.5
0
公称
3.3
最大
3.6
V
CC
+ 0.5
0.8
70
单位
V
V
V
°C
直流工作特性(在工作范围内)
1
-10
参数
输入漏
当前
输出漏
当前
工作电源
电源电流
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
测试条件
V
CC
=最大,V
IN
= GND到V
CC
V
CC
=最大, CE1 = V
IH
or
CE2 = V
IL
, V
OUT
= GND到V
CC
V
CC
=最大, CE1
V
IL
,
CE2
V
IH
, f = f
最大
,
I
OUT
= 0毫安
V
CC
=最大, CE1
V
IH
和/或
CE2
V
IL
, f = f
最大
V
CC
=最大, CE1
V
CC
-0.2V和/
或CE2
≤ 0.2V
V
IN
0.2V或
V
IN
V
CC
-0.2V , F = 0
I
OL
= 8毫安, V
CC
=分钟
I
OH
= -4毫安,V
CC
=分钟
最大
-12
最大
-15
最大
-20
最大
单位
µA
µA
1
1
1
1
1
1
1
1
I
CC
70
65
60
55
mA
I
SB
待机功耗
电源电流
I
SB1
30
25
20
20
mA
5
5
5
5
输出电压
V
OL
V
OH
2.4
0.4
2.4
0.4
2.4
0.4
2.4
0.4
V
V
电容( F = 1兆赫,T
a
= 25
°C,
V
CC
=标称)
2
参数
输入电容
I / O容量
符号
C
IN
C
I / O
信号的
A, CE1 , CE2 , WE , OE
I / O
测试条件
V
IN
= 0V
V
IN
= V
OUT
= 0V
最大
5
7
单位
pF
pF
3/24/04, v.1.2
半导体联盟
9 P. 3