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AS7C31024B-15TCN 参数 Datasheet PDF下载

AS7C31024B-15TCN图片预览
型号: AS7C31024B-15TCN
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内容描述: 3.3V 128K ×8 CMOS SRAM [3.3V 128K X 8 CMOS SRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 9 页 / 121 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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AS7C31024B
®
读周期(在整个工作范围内)
3,9,12
-10
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能( CE1 )访问时间
芯片使能( CE2 )访问时间
输出使能( OE )访问时间
从地址变更输出保持
CE1低到低Z输出
CE2高到低Z输出
CE1高到高Z输出
CE2低到高Z输出
OE低到低Z输出
OE高到高Z输出
电时间
关机时间
符号最小值
t
RC
t
AA
t
ACE1
t
ACE2
t
OE
t
OH
t
CLZ1
t
CLZ2
t
CHZ1
t
CHZ2
t
OLZ
t
OHZ
t
PU
t
PD
10
3
3
3
0
0
最大
10
10
10
5
3
3
5
10
12
3
3
3
0
0
-12
最大
12
12
12
6
3
3
6
12
15
3
3
3
0
0
-15
最大
15
15
15
7
4
4
7
15
20
3
3
3
-20
最大单位
ns
20
20
20
8
笔记
3
3, 12
3, 12
5
4, 5, 12
4, 5, 12
4, 5, 12
4, 5, 12
4, 5
4, 5
4, 5, 12
4, 5, 12
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
5
8
20
0
0
关键开关波形
瑞星输入
下降输入
未定义/无所谓
读取波形1 (地址控制)
3,6,7,9,12
t
RC
地址
D
OUT
t
AA
数据有效
t
OH
读取波形2 ( CE1 , CE2和OE控制)
3,6,8,9,12
CE1
CE2
OE
D
OUT
t
ACE1
,
tACE2
t
CLZ1
, t
CLZ2
t
PU
数据有效
t
PD
50%
50%
I
CC
I
SB
t
OE
t
OLZ
t
OHZ
t
CHZ1
, t
CHZ2
t
RC1
供应
当前
3/24/04, v.1.2
半导体联盟
9 P. 4