AS7C31025B
®
功能说明
该AS7C31025B是组织为131072 ×8一个高性能的CMOS 1048576位的静态随机存取存储器（SRAM）器件
位。它是专为需要快速数据存取，低功耗，以及简单的接口都需要的存储器应用。
平等地址访问和周期时间（T
AA
, t
RC
, t
WC
）的10/12/15/20 NS与输出使能访问时间（T
OE
）的5，6， 7，8毫微秒是理想的
高性能的应用程序。该芯片使能输入端CE允许轻松存储和扩展与多个银行的内存系统。
当CE为高电平时，器件进入待机模式。写周期是由断言写使能（ WE）完成，芯片使能（ CE） 。数据
输入引脚上的I / O 0至I / O7被写入在WE的上升沿（写周期1）或CE （写周期2）。为了防止总线冲突，
外部设备应驱动I / O引脚后，才输出已禁用带
输出使能（
OE
）或写使能
（WE） 。
读周期是由断言输出使能（ OE ）来实现和芯片使能（ CE ） ，以写使能（ WE）高。该芯片的驱动器的I / O引脚
与由输入地址所引用的数据字。当任一芯片使能或输出使能是无效的或写使能有效，输出
司机留在高阻抗模式。
所有的芯片的输入和输出为TTL兼容的，并且操作是从一个3.3 V单电源。该AS7C31025B打包在通用
行业标准封装。
绝对最大额定值
参数
在V电压
CC
相对于GND
任何引脚相对于GND电压
功耗
存储温度（塑料）
环境温度与V
CC
应用的
DC电流转换成输出（低电平）
符号
V
t1
V
t2
P
D
T
英镑
T
BIAS
I
OUT
民
–0.50
–0.50
–
–65
–55
–
最大
+5.0
V
CC
+ 0.5
1.0
+150
+125
20
单位
V
V
W
o
C
o
C
mA
注：应力大于那些在上市
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以外的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的tional操作不暗示。曝光
在绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
真值表
CE
H
L
L
L
WE
X
H
H
L
OE
X
H
L
X
数据
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
模式
待机（我
SB
, I
SB1
)
禁止输出（I
CC
)
阅读（我
CC
)
写（我
CC
)
关键：X =无关，L =低，H =高。
3/24/04, v. 1.3
半导体联盟
9 P. 2
ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
