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AS7C31025B-12TJCN 参数 Datasheet PDF下载

AS7C31025B-12TJCN图片预览
型号: AS7C31025B-12TJCN
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内容描述: 3.3V 128K ×8 CMOS SRAM (中心电源和地) [3.3V 128K X 8 CMOS SRAM (Center power and ground)]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 9 页 / 99 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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AS7C31025B
®
读周期(在整个工作范围内)
3,9
-10
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能( CE )访问时间
输出使能( OE )访问时间
从地址变更输出保持
CE
LOW吨
在低Z O输出
CE高到输出高阻
OE低到低Z输出
OE高到高Z输出
电时间
关机时间
符号
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OE
t
OH
t
CLZ
t
CHZ
t
OLZ
t
OHZ
t
PU
t
PD
10
3
3
0
0
最大
10
10
5
3
5
10
12
3
3
0
0
-12
最大
12
12
6
3
6
12
15
3
3
0
0
-15
最大
15
15
7
4
7
15
20
3
3
0
0
-20
最大
20
20
8
5
8
20
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
4, 5
4, 5
4, 5
4, 5
4, 5
4, 5
3
3
笔记
关键开关波形
瑞星输入
下降输入
未定义/无所谓
读取波形1 (地址控制)
3,6,7,9
t
RC
地址
D
OUT
t
AA
数据有效
t
OH
读取波形2 ( CE和OE控制)
3,6,8,9
CE
t
OE
OE
D
OUT
供应
当前
t
ACE
t
CLZ
t
PU
数据有效
t
PD
50%
50%
I
CC
I
SB
t
OLZ
t
OHZ
t
CHZ
t
RC1
3/24/04, v. 1.3
半导体联盟
9 P. 4