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    AS7C31026B-20JIN 参数 Datasheet PDF下载

    AS7C31026B-20JIN图片预览
    型号： AS7C31026B-20JIN
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 3.3 V 64K ×16的CMOS SRAM [3.3 V 64K X 16 CMOS SRAM]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 10 页 / 123 K
    品牌： ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
     浏览型号AS7C31026B-20JIN的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AS7C31026B-20JIN的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AS7C31026B-20JIN的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AS7C31026B-20JIN的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AS7C31026B-20JIN的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AS7C31026B-20JIN的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AS7C31026B-20JIN的Datasheet PDF文件第8页浏览型号AS7C31026B-20JIN的Datasheet PDF文件第9页  
    AS7C31026B
    ®
    读取波形2 （ OE ， CE ， UB ， LB控制）
    3,6,8,9
    t
    RC
    地址
    t
    AA
    OE
    t
    OLZ
    CE
    t
    LZ
    LB ， UB
    t
    BLZ
    数据
    IN
    t
    BA
    数据有效
    t
    BHZ
    t
    ACE
    t
    OHZ
    t
    HZ
    t
    OE
    t
    OH
    写周期（在整个工作范围内）
    11
    -10
    参数
    写周期时间
    芯片使能（ CE）写结束
    地址设置写到底
    地址建立时间
    把脉冲宽度
    写恢复时间
    从写结束地址保持
    有效的数据写入结束
    数据保持时间
    写使能到输出中高Z
    从输出的写端活跃
    字节选择低写入结束
    符号
    t
    WC
    t
    CW
    t
    AW
    t
    AS
    t
    WP
    t
    WR
    t
    AH
    t
    DW
    t
    DH
    t
    WZ
    t
    OW
    t
    BW
    民
    10
    8
    8
    0
    7
    0
    0
    5
    0
    –
    1
    7
    最大
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    5
    –
    –
    12
    9
    9
    0
    8
    0
    0
    6
    0
    –
    1
    8
    -12
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    6
    –
    –
    15
    10
    10
    0
    9
    0
    0
    8
    0
    –
    1
    9
    -15
    最大
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    7
    –
    –
    20
    12
    12
    0
    12
    0
    0
    10
    0
    –
    2
    9
    -20
    民
    最大
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    8
    –
    –
    单位
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    5
    4, 5
    4, 5
    笔记
    MIN MAX MIN
    3/26/04, v 1.3
    半导体联盟
    10第5页

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