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AS7C33256NTD36A-166TQC 参数 Datasheet PDF下载

AS7C33256NTD36A-166TQC图片预览
型号: AS7C33256NTD36A-166TQC
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内容描述: 3.3V 256K X 2/36流水线突发同步SRAM与NTD [3.3V 256K x 2/36 Pipelined burst Synchronous SRAM with NTD]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 19 页 / 441 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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AS7C33256NTD32A
AS7C33256NTD36A
®
2.5 V的I / O操作的时序特性
–166
参数
时钟频率
周期
时钟存取时间
输出使能低到数据有效
时钟高到输出低Z
数据时钟输出高电平无效
输出使能低到输出低Z
输出使能高到输出高Z
时钟高到输出高阻
输出使能高到输出无效
时钟高电平脉冲宽度
时钟低脉冲宽度
地址设置为时钟高
数据建立到时钟高
编写安装程序时钟高
片选设置为时钟高
从时钟高地址保持
从时钟的高数据保持
写持有时钟高
从芯片的时钟选择高保持
时钟使能设置时钟高
时钟使能保持在较高的时钟
ADV / LD
设置时钟高
ADV / LD
从时钟高位套牢
1请参阅“注意事项”第16页。
–133
7.5
0
1.5
0
0
2.5
2.5
1.7
1.7
1.7
1.7
0.7
0.7
0.7
0.7
1.7
0.7
1.7
0.7
最大
133
4.2
4.0
4.0
4.0
单位
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
5
6
6
6,7
6,8
6
6
6,7
6,8
6
6
6
6
2,3,4
2
2,3,4
2,3,4
2,3,4
笔记
1
符号
f
最大
t
CYC
t
CD
t
OE
t
LZC
t
OH
t
LZOE
t
HZOE
t
HZC
t
OHOE
t
CH
t
CL
t
AS
t
DS
t
WS
t
CSS
t
AH
t
DH
t
WH
t
CSH
t
CENS
t
CENH
t
ADVS
t
ADVH
6
0
1.5
0
0
2.4
2.3
1.7
1.7
1.7
1.7
0.7
0.7
0.7
0.7
1.7
0.7
1.7
0.7
最大
166
3.8
3.5
3.5
3.5
贪睡模式电气特性
描述
条件
符号
最大
单位
在暂停模式电流
ZZ主动输入忽视
ZZ不活动的输入采样
ZZ积极打盹电流
ZZ不活跃,退出当前贪睡
ZZ > V
IH
I
SB2
t
PDS
t
PUS
t
ZZI
t
RZZI
30
2
2
2
0
mA
周期
周期
周期
11/30/04, v. 2.1
半导体联盟
19第10页