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AS7C33256NTD36A-166TQC 参数 Datasheet PDF下载

AS7C33256NTD36A-166TQC图片预览
型号: AS7C33256NTD36A-166TQC
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内容描述: 3.3V 256K X 2/36流水线突发同步SRAM与NTD [3.3V 256K x 2/36 Pipelined burst Synchronous SRAM with NTD]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 19 页 / 441 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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AS7C33256NTD32A
AS7C33256NTD36A
®
为NTD SRAM状态图
BURST
DSE
l
Re
ad
BURST
DSEL
BURST
DSEL
DSEL
BURST
ad
Re
W
R使得
e
l
DSE
ITE
Wr
BURST
BURST
DSEL
BURST
绝对最大额定值
1
参数
电源电压相对于GND
相对于GND输入电压(输入引脚)
相对于GND输入电压( I / O引脚)
功耗
直流输出电流
存储温度(塑料)
在偏置温度(结)
符号
V
DD
, V
DDQ
V
IN
V
IN
P
D
I
OUT
T
英镑
T
BIAS
–0.5
–0.5
–0.5
–65
–65
最大
+4.6
V
DD
+ 0.5
V
DDQ
+ 0.5
1.8
50
+150
+150
单位
V
V
V
W
mA
o
C
o
C
1应力大于那些在上市
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以外的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下可能会影响其可靠性。
推荐的工作条件,在3.3V的I / O
参数
电源电压输入
电源电压的I / O
供应地
符号
V
DD
V
DDQ
VSS
3.135
3.135
0
公称
3.3
3.3
0
最大
3.465
3.465
0
单位
V
V
V
推荐的工作条件,在2.5V的I / O
参数
电源电压输入
电源电压的I / O
供应地
符号
V
DD
V
DDQ
VSS
3.135
2.375
0
公称
3.3
2.5
0
最大
3.465
2.625
0
单位
V
V
V
11/30/04, v. 2.1
半导体联盟
19第7页