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AS7C34096A-12TC 参数 Datasheet PDF下载

AS7C34096A-12TC图片预览
型号: AS7C34096A-12TC
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内容描述: 3.3V 512K ×8 CMOS SRAM [3.3V 512K x 8 CMOS SRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 9 页 / 158 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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AS7C34096A
®
写周期(在整个工作范围内)
10
参数
写周期时间
芯片使能( CE)写结束
地址设置写到底
地址建立时间
把脉冲宽度( OE =高)
写脉冲宽度( OE =低
从写结束地址保持
写恢复时间
有效的数据写入结束
数据保持时间
写使能到输出中高Z
从输出的写端活跃
–10
符号最小值
最大
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
WP1
t
WP2
t
AH
t
WR
t
DW
t
DH
t
WZ
t
OW
10
7
7
0
7
10
0
0
5
0
0
3
5
–12
最大
12
8
8
0
8
12
0
0
6
0
0
3
6
–15
最大
15
10
10
0
10
15
0
0
7
0
0
3
7
–20
最大
20
12
12
0
12
20
0
0
9
0
0
3
9
单位注
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4, 5
4, 5
4, 5
写波形1 (我们控制)
10
t
WC
t
AW
地址
t
WP
WE
t
AS
D
IN
t
WZ
D
OUT
t
DW
数据有效
t
OW
t
DH
t
WR
t
AH
8/17/04, v. 2.1
半导体联盟
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