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AM29PL160CB-90SI 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AM29PL160CB-90SI
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内容描述: 16兆位(2M ×8位/ 1的M× 16位) CMOS 3.0伏只高性能页模式闪存 [16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only High Performance Page Mode Flash Memory]
分类和应用: 闪存内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 44 页 / 846 K
品牌: AMD [ AMD ]
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D A T A S H E E T  
AC CHARACTERISTICS  
Alternate CE# Controlled Erase/Program Operations  
Parameter  
Speed Options  
JEDEC  
tAVAV  
Std  
tWC  
tAS  
Description  
-65R  
-70R  
70  
0
-90  
Unit  
ns  
Write Cycle Time (Note 1)  
Address Setup Time  
Address Hold Time  
Data Setup Time  
Min  
Min  
Min  
Min  
Min  
Min  
65  
90  
tAVEL  
ns  
tELAX  
tDVEH  
tEHDX  
tAH  
45  
35  
45  
35  
0
45  
45  
ns  
tDS  
ns  
tDH  
tOES  
Data Hold Time  
ns  
Output Enable Setup Time  
0
ns  
Read Recovery Time Before Write  
(OE# High to WE# Low)  
tGHEL  
tGHEL  
Min  
0
ns  
tWLEL  
tEHWH  
tELEH  
tEHEL  
tWS  
tWH  
tCP  
WE# Setup Time  
WE# Hold Time  
Min  
Min  
Min  
Min  
Typ  
Typ  
Typ  
0
0
ns  
ns  
ns  
ns  
CE# Pulse Width  
CE# Pulse Width High  
35  
35  
30  
7
35  
tCPH  
Byte  
ProgrammingOperation(Note  
2)  
tWHWH1  
tWHWH2  
tWHWH1  
tWHWH2  
µs  
Word  
9
Sector Erase Operation (Note 2)  
5
sec  
Notes:  
1. Not 100% tested.  
2. See the “Erase and Programming Performance” section for more information.  
36  
Am29PL160C  
22143C7 May 9, 2006