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    AM28F010A-120JC 参数 Datasheet PDF下载

    AM28F010A-120JC图片预览
    型号： AM28F010A-120JC
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 1兆位（ 128千×8位）的CMOS 12.0伏，整体擦除闪存与嵌入式算法 [1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory with Embedded Algorithms]
    分类和应用： 闪存内存集成电路
    文件页数/大小： 35 页 / 439 K
    品牌： AMD [ ADVANCED MICRO DEVICES ]
     浏览型号AM28F010A-120JC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AM28F010A-120JC的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AM28F010A-120JC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AM28F010A-120JC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AM28F010A-120JC的Datasheet PDF文件第8页浏览型号AM28F010A-120JC的Datasheet PDF文件第9页浏览型号AM28F010A-120JC的Datasheet PDF文件第10页浏览型号AM28F010A-120JC的Datasheet PDF文件第11页  
    引脚说明
    A0–A16
    地址输入存储位置。内部锁存器
    在写周期持有的地址。
    周期。输出使能命令是在高
    测序和编程/擦除操作。
    V
    CC
    电源为设备的运行。 （ 5.0 V
    ±
    5％或10％）的
    CE
    #
    (E
    #
    )
    芯片使能有效低输入激活芯片的控制
    逻辑和输入缓冲器。芯片使能高将取消
    该设备并工作在待机模式的芯片。
    V
    PP
    编程电压输入。 V
    PP
    必须在高电压中
    为了写入到命令寄存器。命令
    注册控件改变MEM-所需的所有功能
    储器阵列的内容。存储器的内容不能被改变
    当V
    PP
    ≤
    V
    CC
    +2 V.
    DQ0–DQ7
    在存储器写周期的数据输入。国内
    闩锁持有在写周期的数据。数据输出
    内存中读取周期。
    V
    SS
    地
    NC
    无连接，相应的引脚没有连接
    内部向模具。
    WE
    #
    (W
    #
    )
    写使能低电平有效的输入控制写入功能
    该命令的寄存器到存储器阵列。在焦油
    得到的地址被锁存写入的下降沿
    使能脉冲和相应的数据被锁存的
    上升的脉冲的边沿。写使能抑制高令状
    荷兰国际集团到设备。
    OE
    #
    (G
    #
    )
    输出使能低电平输入门的输出端
    设备通过内存中的数据缓冲区读
    Am28F010A
    7

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