基本原则
本部分包含有关该设备的描述
读取，擦除和编程操作和写操作
在Am29FxxxA和灰地位，闪存12.0伏的家庭
设备。引用一些表格和图形可能是
在通用的形式给出，如“命令定义
表“ ，而不是”表1“。参考相应的
数据表中的实际表或图形。
该Am28FxxxA系列采用100 ％ TTL电平控制
输入管理该命令寄存器中。擦除和
重编程操作使用一个固定的12.0 V
±
5%
高电压输入。
嵌入式编程算法
AMD现在使编程极为简单，
可靠的。嵌入式编程算法重新
张塌塌米，用户只需编写一个程序设置命令
和程序指令。自动装置
次编程脉冲宽度，提供了亲
克核实和计数序列的数量。一
状态位，数据＃查询，提供反馈给用户
以编程操作的状态。
数据保护
该设备被设计为提供保护，防止邮轮业咨询委员会
牙科擦除或编程引起的杂散
可能电源跃迁过程中存在的制度层面的信号
系统蒸发散。该器件在它的只读状态。另外，
其控制寄存器结构，改变的
存储器中的内容只出现成功完井后
化的特定的命令序列。
该器件还集成了多项功能以预
发泄从V不慎造成的写周期
CC
上电和掉电转换或系统噪声。
只读存储器
没有高V
PP
电压，该器件用作
只读存储器和操作类似于标准
EPROM 。控制输入还是传统的管理
阅读，待机输出禁止，并自动选择模式。
命令寄存器
命令寄存器使能，只有当高电压
年龄施加于V
PP
引脚。擦除和重现
编程操作是通过只访问
注册。此外，双周期指令所需
擦除和重新编程操作。在传统
tional阅读，待机输出禁止，并自动选择
通过模式寄存器可用。
该设备的命令寄存器被使用标准写入
微处理器写时序。该寄存器控制的
内部状态机来管理所有的设备操作
系统蒸发散。对系统的设计简单化，设备是DE-
签约后可支持WE＃或CE ＃控制的写操作。
在一个系统写周期，地址锁存
WE的下降沿出现者为准＃或CE ＃ 。
数据被锁存， WE＃或CE ＃上升沿，而─
曾经有过第一次。为了简化下面的讨论中，将
WE＃引脚用作在整个写周期控制销
本文的其余部分。所有的建立和保持时间与重
SPECT在WE＃信号。
低V
CC
写禁止
以避免在V的写周期开始
CC
上电
和断电时，设备将锁定的写入周期为
V
CC
＆ LT ; V
LKO
（见电压DC特性部分
年龄） 。当V
CC
＆ LT ; V
LKO
，命令寄存器显示
禁止时，所有的内部编程/擦除电路都被禁止，
并且设备复位到读模式。该设备会忽
NORES所有写入到V
CC
＆ GT ; V
LKO
。用户必须确保
该控制引脚处于正确的逻辑状态时，
V
CC
＆ GT ; V
LKO
防止无意识。
写脉冲“毛刺”保护
小于10纳秒（典型值）上的OE ＃噪声脉冲， CE＃
或WE＃不会启动写周期。
逻辑INHIBIT
写作是由持有OE ＃任何一个= V抑制
IL
,
CE＃ = V
IH
或WE ＃ = V
IH
。要启动一个写周期CE ＃
和WE＃必须是逻辑零而OE＃为逻辑
1 。
概述擦除/编程
操作
嵌入式擦除算法
AMD现在使擦除非常简单和可靠性
能。嵌入式擦除算法要求用户
只写擦除设置命令和擦除的COM
命令。设备会自动预先计划和
验证整个阵列。设备会自动倍
擦除脉冲的宽度，提供了擦除校验和
计数序列的数目。状态位，数据＃
轮询，提供反馈给用户，以该状态
的擦除操作。
上电时禁止写入
上电设备与WE＃ = CE ＃ = V
IL
和
OE ＃ = V
IH
不接受的命令上涨
的WE＃边沿。内部状态机是automati-
地清除到上电时读取模式。
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Am28F010A
AMD [ ADVANCED MICRO DEVICES ]
