擦除，编程和读取模式
当V
PP
等于12.0 V±5％ ，则该命令稳压
存器是活动的。所有功能都可用。即，在
装置可以编程，擦除，读数组或自选
数据，或者是等待模式。
请参见AC写特性和擦除/亲
编程波形为特定网络Ç时序参数。
命令德网络nitions
命令寄存器默认的内容到00h
（读取模式），在不存在高电压施加到
在V
PP
引脚。该器件的工作作为一个只读的MEM
ORY 。在V高电压
PP
引脚使能命令
注册。设备操作由写spe-选
cific数据代码到命令寄存器。表DE- 3
这些罚款寄存器命令。
写操作
高电压必须施加于V
PP
销以
激活命令寄存器。写入稳压数据
存器用作输入到内部状态机。该
状态机的输出确定操作
功能的设备的。
命令寄存器不占用寻址
存储器位置。该寄存器是一个锁存器，它存储
命令，随着地址和数据的信息
要执行的命令需要。该寄存器被写入
通过将WE＃和CE ＃到V
IL
，而OE ＃是V
IH
.
地址被锁存， WE＃的下降沿，而
数据被锁存的WE＃脉冲的上升沿。
标准的微处理器写定时被使用。
该设备需要的OE ＃引脚为V
IH
写OP-
操作。该条件消除了可能对
在编程操作总线争用。在
为了写， OE ＃必须是V
IH
和CE ＃和WE ＃
必须是V
IL
。如果有任何插针不正确的状态写
命令将不被执行。
表3中。
读命令
存储器的内容可以通过读取访问的COM
命令时， V
PP
高。从设备读取，写入
00h的入命令寄存器。标准microproces-
感器读出的周期，从所述存储器访问数据。 DE-的
副将保持在读模式中，直到命令
寄存器的内容被改变。
命令寄存器默认为00H （读模式）
当V
PP
电。在00H （读模式） DE-登记
故障有助于确保的是无意的改动
存储器的内容在V中，不会发生
PP
动力
过渡。请参阅AC阅读特点及
波形的特定时序参数。
Am28F020命令定义
第一总线周期
第二个总线周期
数据
（注3）
00h/FFh
80H或90H
20h
A0h
40h
C0h
FFH
手术
（注1 ）
读
读
写
读
写
读
写
地址
（注2 ）
RA
00h/01h
X
X
PA
X
X
数据
（注3）
RD
01h/2Ah
20h
EVD
PD
PVD
FFH
命令（注4 ）
阅读记忆
阅读自动选择
删除设置/擦除写
擦除验证
程序安装/程序
编程验证
RESET
手术
（注1 ）
写
写
写
写
写
写
写
地址
（注2 ）
X
X
X
EA
X
X
X
注意事项：
1.总线操作去连接的定义如表1 。
要读2 RA =地址的内存位置。
在擦除 - 验证将要读取的EA =地址的存储单元。
PA =地址的存储单元进行编程。
X =不在乎。
地址被锁存，在WE的下降沿
#
脉搏。
在读操作期间从位置RA的读3. RD =数据。
EVD =读取数据从一个位置EA在擦除 - 验证。
PD =数据到位置PA进行编程。数据锁存WE的上升沿
#
.
从位置PA阅读过程中程序验证PVD =数据。 PA被锁在程序命令。
4.请参阅相应部分的算法和时序图。
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Am28F020
AMD [ ADVANCED MICRO DEVICES ]
