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AM28F020-120JI 参数 Datasheet PDF下载

AM28F020-120JI图片预览
型号: AM28F020-120JI
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内容描述: 2兆位( 256千×8位)的CMOS 12.0伏,整体擦除闪存 [2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory]
分类和应用: 闪存内存集成电路
文件页数/大小: 35 页 / 483 K
品牌: AMD [ ADVANCED MICRO DEVICES ]
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只读模式
当V
PP
小于V
CC
+ 2V,命令寄存器
处于非活动状态。该装置可以读出阵列或autose-
择的数据,或者是等待模式。
输出禁用
当OE #是一个从设备输出禁用
逻辑高电平。禁用时,输出引脚处于
高阻抗状态。
当V设备作为一个只读存储器
PP
& LT ; V
CC
+ 2五,该器件有两种控制功能。两
必须满足,以便输出数据。 CE#控制
电源给设备。该引脚应使用,对于特别
cific设备选择。 OE #控制装置的输出
并且应当用于栅极的数据到输出引脚,如果一个
设备被选择。
地址访问时间t
等于从延迟
稳定地址有效输出数据。芯片使能
访问时间t
CE
是从稳定的地址的延迟和
稳定的CE#到输出引脚的有效数据。输出
允许访问的时间是从下降沿的延迟
OE #到输出引脚的有效数据(假设AD-
裙装一直稳定在至少吨
–t
OE
).
自动选择
闪速存储器可在系统或在一个被编程
标准PROM编程器。该设备可以是溶胶
在接收到发货dered到电路板和
在系统内编程。或者,该装置可以
最初在PROM编程器编程之前
该器件焊接到电路板上。
自动选择模式允许读出一个二进制的
从装置,将确定它的制造商代码
和类型。这个模式的目的是为目的
的自动匹配的设备是亲
编程与其相应的编程algo-
ř ithm 。 THI S模式是FUNC tional在ENTI重
温度范围内的装置。
待机模式
该装置有两种待机模式。该CMOS
在V保持待机模式( CE #输入
CC
±
0.5 V ) ,连续的
消耗更少超过100 μA电流。 TTL待机模式
( CE #保持在V
IH
)降低了电流的要求
以小于1mA 。当在待机模式下的输出
卖出期权是在高阻抗状态,独立的
OE #输入。
如果设备被擦除过程中取消选择,编程
明,或者编程/擦除验证,该设备将
绘制的有功电流,直到操作被终止。
在编程PROM编程
以激活此模式中,编程设备
必须强制V
ID
( 11.5 V至13.0 V)在地址A9 。两
identi音响器的字节然后,可以从该设备测序
通过切换地址A输出
0
从V
IL
到V
IH
。所有其他
地址线必须在V举行
IL
和V
PP
必须是
小于或等于V
CC
+ 2.0 V ,而使用这种自动
选择模式。字节0 ( A0 = V
IL
)表示制造
家编码和字节1 ( A0 = V
IH
)设备identi连接器
代码。该设备在这两个字节列于表
2器件数据手册。所有标识符制造
商和设备代码将表现奇校验与
MSB( DQ7 )定义为奇偶校验位。
表2. Am28F020自动选择码
TYPE
制造商代码
器件代码
A0
V
IL
V
IH
代码(十六进制)
01
2A
Am28F020
9