D A T A
中文ê （E T）
设备
立即终止
在任何操作
进步，所有的三态数据输出引脚，而忽略所有
读/写的企图的RESET ＃期限
脉搏。该器件也复位内部状态马
茅根阅读阵列的数据。这是操作
中断应重新开始一旦该装置是
准备好接受另一个命令序列，以恩
确保数据的完整性。
电流减小为的RESET ＃持续时间
脉搏。当RESET ＃保持在V
IL
，器件进入
在TTL待机模式;如果RESET ＃保持在V
SS
±
0.5 V时，器件进入CMOS待机模式。
在RESET ＃引脚可以连接到系统复位税务局局长
cuitry 。系统复位将因此还重新设置闪光
存储器，使系统能够读取开机固件内
洁具从Flash存储器中。
如果RESET ＃是在一个程序断言或擦除操作
ATION的RY / BY ＃引脚保持为“0” （忙） ，直到
内部复位操作完成，这需要一个
时间t
准备
（在嵌入式算法） 。该
这样的系统可以监控RY / BY ＃来确定是否
在复位操作完成。如果RESET ＃是断言
当一个程序或擦除操作不执行
（ RY / BY＃引脚为“1”） ，在复位操作完成时
吨的时间内
准备
（不是在嵌入式Algo-
rithms ） 。该系统可以读取的数据吨
RH
后
RESET ＃引脚返回到V
IH
.
请参考RESET＃纸张的交流特性表
rameters和时序图。
编程和擦除操作状态
在一个擦除或写入操作时，系统可
通过读取状态检查操作的状态
位在DQ7 - DQ0 。标准的读周期时序和我
CC
读取规格适用。请参阅
有关详细信息，以及每个AC字符
开创性意义部分的时序图。
待机模式
当系统没有读取或写入设备，
它可以将器件置于待机模式。在这
模式下，电流消耗大大减少，并且
输出被置于高阻抗状态，不知疲倦
下垂的OE ＃输入。
该器件进入CMOS待机模式时， CE＃
和RESET ＃引脚均保持在V
CC
±0.5 V. （注
这是一个更受限制的电压范围高于V
IH
.)
该器件进入TTL待机模式时， CE＃
和RESET ＃引脚均保持在V
IH
。该设备重
张塌塌米标准访问时间（t
CE
）的读访问时
该装置是在这两种待机模式，收到
准备读取数据。
该设备还进入待机模式时， RE-
SET ＃被拉低。请参阅下一节
如果设备被擦除或编程过程中取消选择
明，该器件消耗的有功电流，直到
操作完成。
在DC特性表，我
CC3
代表
待机电流规格。
输出禁止模式
当OE ＃输入为V
IH
从设备输出是
禁用。输出引脚被放置在高阻抗
ANCE状态。
RESET ＃ ：硬件复位引脚
在RESET ＃引脚提供了复位 - 硬件方法
婷设备读取阵列数据。当系统
驱动RESET ＃引脚低电平至少一个周期T
RP
,
2006年11月1日21444E6
Am29F016D
9
AMD [ ADVANCED MICRO DEVICES ]
