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    AM29F040-150JC 参数 Datasheet PDF下载

    AM29F040-150JC图片预览
    型号： AM29F040-150JC
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 4兆位（ 524,288 ×8位） CMOS 5.0伏只，扇区擦除闪存 [4 Megabit (524,288 x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Sector Erase Flash Memory]
    分类和应用： 闪存内存集成电路
    文件页数/大小： 33 页 / 418 K
    品牌： AMD [ ADVANCED MICRO DEVICES ]
     浏览型号AM29F040-150JC的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AM29F040-150JC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AM29F040-150JC的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AM29F040-150JC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AM29F040-150JC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AM29F040-150JC的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AM29F040-150JC的Datasheet PDF文件第8页浏览型号AM29F040-150JC的Datasheet PDF文件第9页  
    个别部门通常擦除和VERI网络版
    1.0秒（如果已经完全预编程） 。
    该器件还具有一个扇区擦除架构。
    该部门模式允许内存64K字节的块
    要被擦除和重新编程，而不会影响
    其他模块。出厂时的AM29F040被删除
    从工厂。
    该器件具有一个5.0 V电源操作
    重刑读写功能。内部gener-
    被提供给ated和稳压电压
    编程和擦除操作。低V
    CC
    探测器
    自动抑制写操作上的损失
    力。编程或擦除的结束是由数据检测
    轮询DQ7或通过DQ6切换位功能。
    一旦一个程序或擦除周期结束时一直
    完成后，设备内部复位到读
    模式。
    AMD的闪存技术，结合多年的EPROM
    与ê
    2
    PROM经验，生产的最高水平
    的质量，可靠性和成本效益。该
    AM29F040内存电擦除整个芯片
    或者通过福勒同时一个扇区内的所有位
    Nordheim隧穿。该字节编程1
    在时刻字节使用EPROM编程
    热电子注入的机制。
    灵活的扇区擦除架构
    s
    8个64字节扇区
    s
    个别行业，多领域，或批量擦除
    能力
    s
    单个或多个扇区保护用户
    德网络nable
    7FFFFh
    6FFFFh
    5FFFFh
    每个部门64K字节
    4FFFFh
    3FFFFh
    2FFFFh
    1FFFFh
    0FFFFh
    00000h
    17113E-1
    2
    Am29F040

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