AM29F080B-90EI 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AM29F080B-90EI
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内容描述：	8兆位（ 1一M× 8位） CMOS 5.0伏只，统一部门快闪记忆体 [8 Megabit (1 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory]
分类和应用：
文件页数/大小：	39 页 / 774 K
品牌：	AMD [ ADVANCED MICRO DEVICES ]

数据表

修订概要

版本A（ 1997年7月）

初始版本。

擦除和编程性能

变化最小的100K计划和擦除周期

保证1,000,000。

版本B（ 1998年1月）

全球

格式化为与其他5.0伏才一致性

数据表。

图9 ，读操作时序

校正复位＃波形，以便它是高的

持续时间的读周期。

图11 ，芯片/扇区擦除操作时序

修正后的数据解锁周期图来55H 。

图17 ，备用CE ＃控制的程序

操作时序

纠正命令擦除扇区为30H，芯片擦除

为10H。

版本E （ 1999年1月）

全球

更新的CS39S工艺技术。

特色鲜明

补充：

■

20年的数据保存在125°C

- 可靠运行的系统的寿命

直流特性， CMOS兼容

补充说明“对于CMOS模式下，我

CC3

= I

CC4

= 20 µA

最大的扩展温度（ > + 85°C ）

”.

直流特性-TTL / NMOS和兼容

CMOS兼容

CC1

, I

CC2

, I

CC3

CC4

：补充说明2 “我最大

特定网络连接的阳离子与V测试

= V

CCmax

”.

CC3

CC4

：删除V

= V

马克斯。

版本C（ 1998年1月）

待机模式

在第一段提到去掉句子

RESET ＃脉冲。

行业组保护/ unprotection的，临时

业集团撤消

从“部门”为“部门小组”已更改引用。

纠正案文表示行业组由

两个相邻扇区。

版本E + 1 （ 1999年3月23日）

工作范围

的温度范围，现在被指定为环境温度。

版本E + 2 （ 1999年4月9日）

订购信息，工作范围

添加扩展级温度范围。

版本D （ 1998年5月）

特色鲜明

变更后的最低100K写入/擦除周期瓜拉尼

开球〜100万。

直流特性， CMOS兼容

对于我

CC3

我

CC4

，电压容差的CE ＃

和RESET ＃现在是± 0.5 V.

AC特性

擦除/编程操作;擦除和编程操作

ations备用CE＃控制写道：

纠正

指出了T参考

WHWH1

和T

WHWH2

。这些参

ETERS都经过100％测试。校正注释引用

VCS

。这个参数不是100 ％测试。

临时机构撤消表

在t补充说明参考

VIDR

。该参数不

100 ％测试。

命令德网络nitions

纠正此消彼长的表头。

版本F（ 1999年11月15日）

交流特性 - 图11.计划

操作时序图12.芯片/扇区

擦除操作

删除吨

GHWL

并改变OE ＃波形开始

高。

物理尺寸

换成数字更详细的说明。

修订版F + 1 （ 2000年5月18日）

DC特性

TTL / NMOS兼容：该ICC2规格

现在的那些相同，在CMOS兼容。

G版（ 2000年12月4日）

补充目录。

订购信息

删除老化的选择。

Am29F080B

21503G5 2006年11月1日

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