数据表
Am29F200B
2兆位（ 256千×8位/ 128的K× 16位）
CMOS 5.0伏只，引导扇区闪存
特色鲜明
■
5.0 V的读取和写入操作
- 最大程度降低系统级功耗要求
■
在0.32微米制程技术制造的
- 兼容0.5微米Am29F200A设备
■
高性能
- 存取时间快45纳秒
■
低功耗
- 20毫安典型的读操作工作电流（字节模式）
- 27 mA典型有效的读电流
（字模式）
- 30毫安典型的编程/擦除电流
- 1 μA典型待机电流
■
扇区擦除架构
- 一个16字节， 2字节8 ， 1个32字节，而
3个64字节扇区（字节模式）
- 一个8千字，两个4千字， 1个16千字，并
3个32千字部门（字模式）
- 支持整片擦除
- 扇区保护功能：
锁定一个部门的硬件方法
防止任何程序或内擦除操作
该部门
部门可以通过编程设备被锁定
临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
■
提供顶部或底部启动块配置
■
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址的数据验证
■
最低百万写入/擦除周期保证
■
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
■
封装选项
- 44引脚SO
- 48引脚TSOP
- 已知合格芯片（ KGD ）
（参见出版号21257 ）
■
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源FL灰
- 高级无意写保护
■
数据＃投票和切换位
- 检测编程或擦除周期完成
■
就绪/忙＃输出（ RY / BY ＃ ）
- 硬件的检测方法，程序或
擦除周期结束
■
擦除暂停/删除恢复
- 从一个部门不支持读取数据
被擦除
■
硬件RESET ＃引脚
- 复位内部状态机来读取
数组数据
该数据表规定了AMD的关于本文描述的产品目前的技术规范。此数据
片可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。
出版＃
21526
启：
D
修订：
4
发行日期：
2006年11月1日
AMD [ ADVANCED MICRO DEVICES ]
